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申請(專利)號：200480034544.4
申請日：2004.09.24
名稱：用于在半導(dǎo)體芯片上電鍍精細(xì)電路的改進(jìn)的銅電鍍浴
公開(公告)號：CN1882719
公開(公告)日：2006.12.20
主分類號：C25D3/38(2006.01)I
分類號：C25D3/38(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I
頒證日：優(yōu)先權(quán)：2003.9.26US10/672,416
申請(專利權(quán))人：洛克威爾科學(xué)許可有限公司
地址：美國加利福尼亞州
發(fā)明(設(shè)計(jì))人：M·D·坦奇;J·T·懷特
國際申請：2004-09-24PCT/US2004/031398
國際公布：2005-04-07WO2005/031812英
進(jìn)入國家日期：2006.05.22
專利代理機(jī)構(gòu)：上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
代理人：錢慰民
摘要
使用以低濃度(<5μM)存在的單一加速添加劑物質(zhì)的焦磷酸銅電鍍浴獲得在半導(dǎo)體芯片中的精細(xì)金屬鑲嵌凹槽和通孔的底部向上填充。與采用涉及最少兩種有機(jī)添加劑和氯離子(以及大量的添加劑分解產(chǎn)物)的酸性硫酸銅浴相比較，該電鍍浴容易控制得多。焦磷酸銅沉積物表現(xiàn)出穩(wěn)定的性能而不用退火，并且其硬度一般是酸性硫酸銅沉積物的兩倍，它便于化學(xué)機(jī)械平整。精細(xì)晶粒焦磷酸銅沉積物的機(jī)械性能和質(zhì)地也很少依賴于基片，這就使得在屏障層和晶仔層中的變化和裂縫的效應(yīng)最小化。對于在pH8至9的范圍內(nèi)工作的焦磷酸銅浴來說，對銅晶仔層的侵蝕最小。焦磷酸鹽和退火后的酸性硫酸銅沉積物的電阻性是基本等效的。
