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【專利號(hào)(申請(qǐng)?zhí)?】00133603.7
【公開(公告)號(hào)】CN1355555
【申請(qǐng)人(專利權(quán))】中國(guó)科學(xué)院微電子中心
【申請(qǐng)日期】2000-11-28 0:00:00
【公開(公告)日】2002-6-26 0:00:00
一種半導(dǎo)體芯片焊料凸點(diǎn)加工方法，包括如下步驟：步驟1：球下金屬化層；步驟2：介質(zhì)膜的淀積與刻蝕；步驟3：電鍍工藝：a、電鍍銅微型凸點(diǎn)或稱厚銅：采用光亮硫酸鹽鍍液配方，鍍銅厚度5－10μm；b、電鍍鉛錫合金凸點(diǎn)：采用光亮鉛錫合金電鍍配方以及材料，二元系鉛錫合金一次電鍍完成；步驟4：回流工藝：采用回流峰值溫度高于焊料熔點(diǎn)10－50℃，并采用中性助焊劑。
