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【簡介】
針對先進納米銅互連技術(shù)的要求，研究了脈沖時間和關(guān)斷時間對銅互連薄膜電阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度爭陛能的影響 實驗結(jié)果表明，占空比較小時，鍍層電阻率較大，晶粒直徑較小。脈沖時間選擇在毫秒數(shù)量級，占空比選擇在40％～60％之間容易獲得較小電阻率和較大晶粒尺寸的銅薄膜。
【簡介】
針對先進納米銅互連技術(shù)的要求，研究了脈沖時間和關(guān)斷時間對銅互連薄膜電阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度爭陛能的影響 實驗結(jié)果表明，占空比較小時，鍍層電阻率較大，晶粒直徑較小。脈沖時間選擇在毫秒數(shù)量級，占空比選擇在40％～60％之間容易獲得較小電阻率和較大晶粒尺寸的銅薄膜。
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