ULSI銅互連線技術(shù)中的電鍍工藝

摘　要:通過對電鍍液中加入適當(dāng)?shù)恼絼┖筒捎萌诫娏鞣ǎ晒Φ貙⒐I(yè)鍍銅技術(shù)應(yīng)用于ULSI銅互連線技術(shù)中，實現(xiàn)了對高寬比為1μm的刻孔的無空洞，無裂縫填充，方阻測試表明，所鍍銅的電阻率為2．0uΩ.cm，X射線衍射分析結(jié)果是出的Cu(111)的致密結(jié)構(gòu)非常有利于互連線技術(shù)中高抗電遷移性要求。

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