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【簡(jiǎn)介】
采用化學(xué)鍍方法在超聲輻照下對(duì)50 nm的SiC進(jìn)行了化學(xué)鍍銅,并探討了孕育期的存在機(jī)制以及施鍍工藝對(duì)化學(xué)鍍銅的影響。利用XRD、場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡、EDS對(duì)粉體鍍覆前后成分進(jìn)行了物相、形貌、成分分析。結(jié)果表明:孕育期的存在機(jī)理在于鍍液中配位劑對(duì)活化后粉體表面膠體層的去除;采用雙配位劑工藝,配位劑的協(xié)同效應(yīng)能大大提高鍍液中Cu2 +的利用率,本試驗(yàn)中銅的利用率最低高達(dá)89. 5% ,從而減少了鍍后廢液的污染;在試驗(yàn)所取溫度范圍內(nèi),隨著溫度的提高,鍍速逐漸升高;通過(guò)控制裝載量可以實(shí)現(xiàn)不同含銅量的復(fù)合粉體的制備。
