【簡介】
嘗試了一種低成本的三維微電極陣列微加工的新方法。玻璃劃片形成的柱狀陣列，經(jīng)掩膜腐蝕后形成陽模板，再利用PDMS的微復(fù)制技術(shù)形成陰模板。利用陰模板進(jìn)行電鍍，可以得到三維微電極陣列。制作的銅電極陣列高度約180µm，為制作更長的神經(jīng)微電極陣列打下了基礎(chǔ)。
三維神經(jīng)微電極陣列新制作技術(shù)研究.pdf
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