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【專利號(申請?zhí)?】200380110286.9
【公開(公告)號】CN1771594
【申請人(專利權(quán))】先進微裝置公司
【申請日期】2003-12-22 0:00:00
【公開(公告)日】2006-5-10 0:00:00
在一種將金屬電鍍到包含小直徑通孔和大直徑溝槽(205)的介電層上的新方法中，通過，例如，至少在介電層(203)的未圖案化區(qū)域(206) 上降低電鍍浴中的平滑劑數(shù)量而產(chǎn)生表面粗糙程度，以增強后續(xù)化學(xué)機械拋光(CMP)過程中材料去除的均勻性。
