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摘要：以電子束直寫光刻圖形為模版，采用直流電沉積和數(shù)值模擬的方法，研究了鎳納米柱陣列圖案化磁記錄介質(zhì)的制備工藝和模版電沉積過程中的沉積不均勻問題．研究結(jié)果表明，在加速電壓、曝光電流確定的條件下，電子束直寫光刻模版孔徑由曝光時間決定，模版的孔徑和孔距在10 nm量級精確可調(diào)．在納米孔陣列模版中進行電沉積時，適當(dāng)增大孔距，降低陰極電解電勢，可以減小電沉積過程中相鄰孔之間的相互干擾，提高電沉積的均勻性，從而為圖案化磁記錄介質(zhì)的電沉積制備提供了一種新的方法．
