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電沉積超薄膜生長的模擬研究

放大字體??縮小字體 發(fā)布日期:2012-09-03??瀏覽次數(shù):373 ??關(guān)注:加關(guān)注
核心提示:摘要:利用Monte Carlo模擬的方法對(duì)電沉積超薄膜的生長過程進(jìn)行了研究,綜合考慮了電解溶液中總粒子數(shù)n、粒子相遇時(shí)的反應(yīng)概率Pn

摘要:利用Monte Carlo模擬的方法對(duì)電沉積超薄膜的生長過程進(jìn)行了研究,綜合考慮了電解溶液中總粒子數(shù)n、粒子相遇時(shí)的反應(yīng)概率Pn及粒子定向漂移概率Pd等因素,得到了一系列二維薄膜的分形生長圖形,汁算了相應(yīng)的分形維數(shù).結(jié)果表明,總粒子數(shù)n和反應(yīng)概率Pn共同決定了沉積薄膜的形貌和相應(yīng)的分形維數(shù)及聚集的粒子數(shù)N,而定向漂移概率Pn則對(duì)薄膜的形態(tài)及分形維數(shù)影響不大。

   電沉積超薄膜生長的模擬研究.pdf
 

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