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摘 要：采用循環(huán)伏安及交流阻抗研究As(Ⅲ,Ⅴ)，Sb(Ⅲ,Ⅴ)和Bi(Ⅲ)對(duì)銅電沉積及陽(yáng)極氧化機(jī)理的影響。研究結(jié)果表明：電解底液循環(huán)伏安分別在0.06 V 和−0.25 V 出現(xiàn)還原峰a 和b，在0.10 V 和0.23 V 出現(xiàn)氧化峰b′和a′。As(Ⅲ)加速銅的電沉積，As(Ⅴ)，Sb(Ⅲ,Ⅴ)和Bi(Ⅲ)均改變銅的沉積機(jī)理，使兩步反應(yīng)變成一步反應(yīng)，其中，加入Sb(Ⅲ,Ⅴ)和Bi(Ⅲ)的電解液在−0.13 V 附近出現(xiàn)雜質(zhì)Sb 和Bi 的還原峰；這些雜質(zhì)均抑制銅的氧化反應(yīng)，改變陽(yáng)極氧化機(jī)理，使兩步氧化變?yōu)橐徊窖趸磻?yīng)；將As(Ⅲ,Ⅴ)，Sb(Ⅲ,Ⅴ)和Bi(Ⅲ)單獨(dú)加入電解液中，電極過(guò)程均產(chǎn)生電活性物質(zhì)吸附，均使電極過(guò)程阻抗減小。
