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摘要：應(yīng)用陰極析氫氣泡模板法在酸性硫酸亞錫溶液中電沉積制備三維多孔錫薄膜,并研究了電流密度、錫離子濃度、沉積時間以及添加劑苯甲醛和聚乙二醇辛基苯基醚( OP)等對薄膜孔徑大小和孔壁結(jié)構(gòu)的影響.結(jié)果表明,在電流密度為1 .0～8 .0 A·cm-2 時薄膜的孔徑和孔壁結(jié)構(gòu)無明顯變化,提高錫離子濃度可使薄膜的孔徑和孔壁厚度增加,苯甲醛和 OP可顯著改變薄膜的孔徑和孔壁結(jié)構(gòu).
摘要：應(yīng)用陰極析氫氣泡模板法在酸性硫酸亞錫溶液中電沉積制備三維多孔錫薄膜,并研究了電流密度、錫離子濃度、沉積時間以及添加劑苯甲醛和聚乙二醇辛基苯基醚( OP)等對薄膜孔徑大小和孔壁結(jié)構(gòu)的影響.結(jié)果表明,在電流密度為1 .0～8 .0 A·cm-2 時薄膜的孔徑和孔壁結(jié)構(gòu)無明顯變化,提高錫離子濃度可使薄膜的孔徑和孔壁厚度增加,苯甲醛和 OP可顯著改變薄膜的孔徑和孔壁結(jié)構(gòu).
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