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摘要：利用恒電位電沉積技術實現(xiàn)在ITO導電玻璃上沉積ZnS薄膜，用X射線粉末衍射、掃描電鏡、原子力顯微鏡和x射線光電子能譜對制得的薄膜進行了研究．實驗表明，用該方法制得的薄膜樣品的主要成分是α-ZnS，薄膜表面均勻、致密和平整，平均粗糙度為3.112 nm，顆粒的粒徑大約為50~100 nm．該薄膜中zn原子和S原子化合價分別為+2價和-2價，原子個數(shù)比接近于1：1，沒有探測到單質元素(Zn或S)沉積．
摘要：利用恒電位電沉積技術實現(xiàn)在ITO導電玻璃上沉積ZnS薄膜，用X射線粉末衍射、掃描電鏡、原子力顯微鏡和x射線光電子能譜對制得的薄膜進行了研究．實驗表明，用該方法制得的薄膜樣品的主要成分是α-ZnS，薄膜表面均勻、致密和平整，平均粗糙度為3.112 nm，顆粒的粒徑大約為50~100 nm．該薄膜中zn原子和S原子化合價分別為+2價和-2價，原子個數(shù)比接近于1：1，沒有探測到單質元素(Zn或S)沉積．
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