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金及其合金拋光技術(shù)的研究進(jìn)展:金及其合金的電化學(xué)拋光(二)

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核心提示:金及其合金拋光技術(shù)的研究進(jìn)展:金及其合金的電化學(xué)拋光(二)

【簡介】

無氰電解液

 

    1992年,聯(lián)合國環(huán)境發(fā)展大會將清潔生產(chǎn)寫入了《21世紀(jì)國際行動議程》。l993101日,在我國實行的公共安全行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)中,氰化物被列為A類劇毒物質(zhì)。2003年,我國正式實施《中華人民共和國清潔生產(chǎn)促進(jìn)法》。無氰電解液的開發(fā)成為必然的趨勢。

 

1.硫脲型電解液

 

    除了氰化物外,硫脲是金的一種很好的配位劑。硫脲型電解液與氰化物電解液相比,對人體和環(huán)境的危害較小,多用來取代劇毒的氰化物進(jìn)行金及其合金的拋光,并且通過研究工作者的努力探索,其拋光效果也日漸提高。這類電解液除了用于金及其合金的拋光外,還可通過改變部分條件而用于銀、鉑等其他貴金屬的拋光,也可用來電解退除不銹鋼或鐵基體上的金、銀、銅以及合金鍍層[2]。硫脲型電解液因其具有較多優(yōu)良性質(zhì),已成為現(xiàn)今研究的熱點(diǎn)之一。

 

    據(jù)報道[l2],最早公開的無氰配方就是Reichert[13]1954年提出的硫脲的酸溶液。研究發(fā)現(xiàn),硫脲的酸溶液可以在陽極試樣表面生成一層膜,這層黏性薄膜是由難溶性含金硫脲配合物沉淀生成的。酸可以是有機(jī)酸,也可以是無機(jī)酸,其中效果較好的是硫酸。Reichert選用了25 gL硫脲、3 mLL濃硫酸和l0 gL酒石酸,對金合金(Au 585%,Ag 10%,Cu 279%,Zn 36)進(jìn)行了拋光。操作條件為:溫度2045,電流密度l535 Adm2,電壓2045 V。通電5 min后,得到了高光亮表面,且無需后處理。另外,拋光帶有花紋的金戒指時,不僅表面光亮,還去除了毛刺。在電解液中加入大量的還原糖,如果糖、麥牙糖、葡萄糖、乳糖和蔗糖等,有利于抑制硫脲的氧化分解[l4]

 

    隨著研究工作的深入,也有人提出更為寬泛的電解液[15]溶液基于一種含有離子化氫的有機(jī)化合物,可以從硫脲、巰基丙氨酸、蛋氨酸、丙氨酸或氨基乙酸及其衍生物中選取。前3種化合物都含有C—S鍵,后2種含有C--N鍵,不含S。相關(guān)研究者認(rèn)為S的存在對金及其合金的拋光有利,應(yīng)優(yōu)先選擇含S的化合物。

 

    金合金中元素種類的增加和含量的變化,使得拋光的難度增大,工藝變得復(fù)雜。Fischef[16]指出,拋光金合金時應(yīng)加入少量包含至少一種合金成分的金屬化合物。這種金屬元素沒有金貴重,其電動序排在金的前面,并以它們的鹽的形式加入,其中Cu的硫脲鹽效果最好。

 

    Reichert報道了硫脲型電解液以來,相繼有很多研究工作者在這方面進(jìn)行了大量的研究[2813-14,17-21],開發(fā)出一系列具體的拋光工藝,部分配方及工藝參數(shù)列于表1

 

1金及其合金的硫脲型電解液的組成及工藝條件

Table l Thiourea electrolyte and oarameters for gold and its alloys

1)此處為質(zhì)量濃度,單位g/L

 

2.混合酸型電解液

 

    研究工作者開發(fā)出以硫酸、鹽酸和磷酸中的一種或幾種溶液合理配比的金及其合金拋光工藝。混合酸型電解液與硫脲型電解液相比,組分較少,價格也較低,但是由于酸的用量較大,對人體的傷害和對環(huán)境的污染程度也不容忽視。

 

    Wolf[22]提出用鹽酸和硫酸的混合溶液對金及其合金進(jìn)行拋光。具體方法是:在500 mL水中加入鹽酸和硫酸各30 mL,電流密度為30135 Acm2,電壓為3042V

 

    林正藏[23]在專利中提出了適用于金、銀、鉑等貴金屬電化學(xué)拋光的電解液:鹽酸、磷酸和水的體積比為(0550)(0530)(5020)。拋光針灸用的金合金針(Au 10%、Ag 30i Cu l4%、Zn 1%、Pt l0%、 Pd35)的電解液由鹽酸、磷酸和水按體積比221組成。拋光100 S時,得到鏡面光澤的效果,在拋光過程中須將陽極試樣上下移動。

 

    神藤精一[24]采用硫酸、磷酸和水以體積比(4090)(5060)(520)配成的混合溶液,在溫度2080、電壓2l5 V下,對針狀金工件進(jìn)行拋光。拋光后試樣表面均一,光澤度好,耐蝕性得到提高。若二次拋光,效果更好。

    馬勝利等[25]選用硫酸基電解液對較高粗糙度(Ra=063125 μm)的純金材料表面進(jìn)行電化學(xué)拋光處理。溶液主要組成及工藝參數(shù)為:

 

H2S04                            8 mLL

添加劑OBA-1                     3 mLL

OBA-2                            8 mLL

Ja                            210Adm2

U(陽極)                            29V

θ                             3050

t(拋光)                    0550min

陰陽極間距                    2025 mnl

陰陽極表面積比                     l0l

    188不銹鋼雙陰極    50mm×50 mm × 3 mm

 

    結(jié)果表明,該電解液能使純金表面粗糙度下降2級,并呈現(xiàn)鮮艷的金黃色外觀,亮度也明顯提高。將硫酸基電解液和氰化物型電解液對純金的拋光效果進(jìn)行對比,發(fā)現(xiàn)硫酸基電解液更適用于較高粗糙度(Ra=063125μm)的純金材料,對低粗糙度(Ra<016μm)純金的表面光亮度的提高不如氰化物型電解液的效果明顯。這是由于原始表面粗糙度不同,其拋光機(jī)制也不相同而造成的。

 

3.氯化物型電解液

 

    金也可以以三價的形式與氯離子形成穩(wěn)定的[AuCl4]-配位體。當(dāng)拋光液中存在AuCl3[AuCl4]-時,金的溶解速度較慢,容易形成短時間的鈍化狀態(tài)。在溶液中加入一些金粉,此時形成具有一定機(jī)械拋光作用的機(jī)械一電化學(xué)拋光作用,更容易獲得平滑而光亮的表面。金的氯化物型電解液的組成及工藝條件如下[2]

 

    (HauCl4的形式加入)         6 gL

    HCI(p=118 gL)            200 mLL

    甘油                          800mLL

    硅酮                           2 mLL

    金粉                            3 gL

    陰極材料                          鋼板

    U(電解槽)                          6V

    Ja                           40 Adm2

    θ                              50

    t(拋光)                        數(shù)分鐘

 

金及其合金拋光技術(shù)的研究進(jìn)展:前言

金及其合金拋光技術(shù)的研究進(jìn)展:金及其合金的機(jī)械拋光

金及其合金拋光技術(shù)的研究進(jìn)展:金及其合金的化學(xué)拋光

金及其合金拋光技術(shù)的研究進(jìn)展:金及其合金的電化學(xué)拋光(一)

金及其合金拋光技術(shù)的研究進(jìn)展:結(jié)論

 

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