【簡介】
建立了一套輝光放電等離子體對電容器薄膜進(jìn)行表面處理的裝置。采用N202及Ar三種氣體對聚丙烯、聚酯和聚苯硫醚膜進(jìn)行了表面處理。紅外光譜分析表明:薄膜表面的生成物與薄膜種類、氣體種類和處理強(qiáng)度密切相關(guān)。場掃描電鏡顯示了薄膜表面的刻蝕現(xiàn)象明顯。處理過的薄膜,非晶相被去除,球晶暴露。能譜分析說明了薄膜中C元素下降。N,0元素增加,但總體改變量很小。處理前后薄膜的直流擊穿電壓沒有明顯改變,但刻蝕過程造成的薄膜表面粗化可幫助電容器的浸漬過程更充分,從而可提高電容器的使用場強(qiáng)與儲能密度。