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【專利號(申請?zhí)?】200610015536.6
【公開(公告)號】CN101135045
【申請人(專利權(quán))】國家納米技術(shù)與工程研究院，北京航空航天大學(xué)，深圳微納超細材料有限公司
【申請日期】2006-8-31 0:00:00
【公開(公告)日】2008-3-5 0:00:00
【專利簡介】
一種在SiC微顆粒表面磁控濺射鍍銅膜的方法，其特征是采用微顆粒磁控濺射鍍膜設(shè)備，以0.1～500μm的SiC顆粒材料作為基底，純度為99.999％的銅作為靶材，通過調(diào)節(jié)超聲波的振動功率及樣品架的擺動頻率，使SiC顆粒在濺射鍍膜時能夠均勻地分散，再通過改變真空室內(nèi)的工作氣壓、濺射功率、溫度和濺射時間等工藝條件，在其表面沉積上金屬銅膜。該工藝操作簡單，成本低廉，無廢水廢氣污染，所制備的薄膜均勻，連續(xù)。
