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【專利號(hào)(申請(qǐng)?zhí)?】00108145.4
【公開(公告)號(hào)】CN1285620
【申請(qǐng)人(專利權(quán))】三菱電機(jī)株式會(huì)社
【申請(qǐng)日期】2000-4-29 0:00:00
【公開(公告)日】2001-2-28 0:00:00
本發(fā)明的課題是得到能有效地利用沒有形成半導(dǎo)體電路的半導(dǎo)體芯片背面的半導(dǎo)體裝置｡在半導(dǎo)體芯片1的一個(gè)面(半導(dǎo)體芯片表面)3上形成了半導(dǎo)體電路2的半導(dǎo)體裝置(IC)中,利用氣相生長法(CVD化學(xué)汽相淀積)､濺射法､電解電鍍法等,在沒有形成半導(dǎo)體電路2的半導(dǎo)體芯片背面4上形成電容､電阻､線圈等的電路元件和連結(jié)到這些電路元件上的焊區(qū)6､7｡可在半導(dǎo)體芯片的背面上配置面積較大的線圈元件8等｡
