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【專利號(申請?zhí)?】02158814.7
【公開(公告)號】CN1430271
【申請人(專利權)】夏普株式會社
【申請日期】2002-12-25 0:00:00
【公開(公告)日】2003-7-16 0:00:00
一種半導體裝置及其制造方法，包括在基板上形成的、在電極墊上具有開口部的第1保護膜、在上述開口部中與電極墊連結(jié)并且其周邊部由上述第1保護膜所覆蓋的突起電極、至少覆蓋第1保護膜和突起電極之間的邊界部分的間隙而形成的并且在突起電極的上面區(qū)域除與第1保護膜之間的邊界部分周邊之外開口的第2保護膜、在第2保護膜的開口上覆蓋突起電極表面而形成的覆蓋層。這樣、在采用無電解電鍍法形成突起電極的半導體裝置中、可以防止電極墊和突起電極之間的連結(jié)強度的降低。
