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半導(dǎo)體集成電路及其制備方法.pdf

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核心提示:半導(dǎo)體集成電路及其制備方法.pdf

【專利號(hào)(申請(qǐng)?zhí)?】02102570.3

【公開(kāi)(公告)號(hào)】CN1369912

【申請(qǐng)人(專利權(quán))】夏普公司

【申請(qǐng)日期】2002-1-29 0:00:00

【公開(kāi)(公告)日】2002-9-18 0:00:00

提供一種半導(dǎo)體集成電路,它包括均勻高度的凸起電極。半導(dǎo)體集成電路包括:半導(dǎo)體襯底(晶片),具有分別限定在正表面上的多個(gè)凸起電極形成區(qū)和凸起電極非形成區(qū);第一電極焊盤,形成在凸起電極非形成區(qū)中;第二電極焊盤,形成在每個(gè)凸起電極形成區(qū)中;以及凸起電極,形成在每個(gè)第二電極焊盤上;其中在利用電鍍形成凸起電極中第一電極焊盤用于將電鍍電流經(jīng)過(guò)半導(dǎo)體襯底供給第二電極焊盤。

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