鎂基儲(chǔ)氫合金的電沉積和化學(xué)鍍制備法

    目前制備鎂基儲(chǔ)氫合金的主要方法有熔煉法、氫化燃燒合成法、機(jī)械化合金法及濺射法等^[4-5]。前3種方法可制備塊狀或粉末狀合金，濺射法可制備合金薄膜。相對(duì)于塊狀儲(chǔ)氫合金，儲(chǔ)氫合金薄膜化后具有以下優(yōu)點(diǎn)：(1)吸、放氫性能好；(2)抗粉化性能優(yōu)良；(3)可相對(duì)容易地對(duì)薄膜進(jìn)行表面處理，如表面離子轟擊、化學(xué)鍍等。南開大學(xué)陳軍等^[6]利用磁控濺射法制得了厚度約為600 nm的Mg-Ni儲(chǔ)氫薄膜，此薄膜在150 ℃、3.3 MPa條件下就能可逆地吸、放氫。華南理工大學(xué)的研究表明，Mg-Ni儲(chǔ)氫薄膜除了具有上述特點(diǎn)外，其內(nèi)阻也較低(32 mΩ)，有利于氫的擴(kuò)散^[7]。