電沉積條件與鍍層結(jié)構(gòu)的關(guān)系見圖1 [1]
試驗(yàn)條件:硫酸鎳濃度0.15mol/L,鍍層結(jié)構(gòu)與電沉積條件如圖1所示。
①鍍液中Mo(Ⅵ) 濃度<0.1mol/L時(shí),鍍層為晶態(tài)結(jié)構(gòu)如□所示。
②鍍液中Mo(VI) 濃度≥0.1mol/L,陰極電流密度>
③當(dāng)鍍液中Mo(VI) 較大而Dk小,不能獲得好鍍層,如×所示。
參考文獻(xiàn)
1 曾躍,姚素薇,郭鶴桐.非晶態(tài)Ni-M0合金的電沉積.電鍍與精飾,1994,16(3):9~12










