電流密度對(duì)電沉積的影響見(jiàn)圖1 [1]。

圖1 電流密度對(duì)電沉積的影響
-○-η%;-口-M0/%(原子)
由圖l可見(jiàn):
① 在實(shí)驗(yàn)電流密度范圍內(nèi),鍍層含鉬量幾乎與電流密度無(wú)關(guān);
② ②在電流密度大于
③在電流密度6~
④在電流密度小于
參考文獻(xiàn)
1 曾躍,姚素薇,郭鶴桐.非晶態(tài)Ni-M0合金的電沉積.電鍍與精飾,1994,16(3):9~12
電流密度對(duì)電沉積的影響見(jiàn)圖1 [1]。

圖1 電流密度對(duì)電沉積的影響
-○-η%;-口-M0/%(原子)
由圖l可見(jiàn):
① 在實(shí)驗(yàn)電流密度范圍內(nèi),鍍層含鉬量幾乎與電流密度無(wú)關(guān);
② ②在電流密度大于
③在電流密度6~
④在電流密度小于
參考文獻(xiàn)
1 曾躍,姚素薇,郭鶴桐.非晶態(tài)Ni-M0合金的電沉積.電鍍與精飾,1994,16(3):9~12
