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摘要
在含有MgO純度為99. 9%以上、且相對密度為 90%以上的多晶MgO的燒結顆粒的等離子體顯示屏 的保護膜用多晶MgO蒸鍍材料中，多晶MgO中含 有的Si濃度為30ppm以上，小于500ppm。該材料 用作等離子體顯示屏材料，其在寬的溫度范圍內(nèi)具 有良好的放電應答性，得到提高屏幕輝度的等離子 體顯示屏，并且不降低屏幕的輝度，大幅度減少地 址1C數(shù)。
1. 一種多晶MgO蒸鍍材料，其用于等離子體顯示屏的保護膜， 其中，含有MgO純度為99.9%以上、且相對密度為90%以上的多晶 MgO的燒結顆粒，在前述多晶MgO中含有的Si濃度為30ppm以上、 小于 500ppm。
2.如權利要求1所述的多晶MgO蒸鍍材料，其中，多晶MgO 蒸後材料中含有的Si的濃度為220~ 480ppm„
3.如權利要求1所述的多晶MgO蒸鍍材料，其中，多晶MgO 蒸鍍材料中含有的Si的濃度為250 ~ 450ppm。
4.如權利要求1所述的多晶MgO蒸鍍材料，其中，多晶MgO 蒸鍍材料中含有的Si的濃度為280~ 350ppm。
技術區(qū)域
5 本發(fā)明涉及用作AC型的等離子體顯示屏的保護膜材料的成為 MgO膜材料的多晶MgO蒸鍍材料。更詳細地說，涉及在寬的溫度范 圍內(nèi)具有良好應答性的MgO膜及其使用上述材料的成為等離子體顯 示屏的材料的多晶MgO蒸鍍材料。
背景技術
10 近年來，以液晶（Liquid Crystal Display )為主的各種平面顯示
器的研究開發(fā)和實用化發(fā)展很快，其生產(chǎn)正在急速增加。對于彩色等 離子體顯示屏（Plasma Display Panel >以下稱作PDP )的開發(fā)和實 用化發(fā)展最近也越發(fā)活躍。PDP容易大型化，高畫質用的大畫面壁掛 電視有最短距離，已經(jīng)制造了對角40英寸的PDP。PDP按照電極結 15構分類，分為用電介質玻璃材料覆蓋金屬電極的AC型、和在放電空 間露出金屬電極的DC型。
在最初開發(fā)該AC型PDP時，因為電介質玻璃層向放電空間露出， 故直接暴露在放電中，由于離子沖擊的噴濺，電介質玻璃層的表面發(fā) 生變化，使放電開始電壓上升。為此，對具有高升華熱的各種氧化物 20 做成該電介質玻璃層的保護膜進行了試驗。該保護膜在和直接放電用 的氣體接觸方面起到了重要的作用。也就是，保護膜需要的特性包括： (1)低放電電壓、（2)放電時的耐噴濺性、（3)快速放電的應答性， 以及（4)絕緣性。作為滿足上述條件的材料，保護膜中使用MgO。 該MgO構成的保護膜從放電時的噴濺開始保護電介質玻璃層的表 25 面，在PDP的長壽化上起到重要的作用。
但是，使用MgO膜作為保護膜時，存在的問題，是稱作暗部噪 點的顯示紊亂的多發(fā)。所謂的暗部噪點是應該點亮單元（選擇單元） 不點亮，出現(xiàn)屏幕顯示的紊亂現(xiàn)象，一般在畫面中容易出現(xiàn)點亮區(qū)域 和非點亮區(qū)域的邊界。該紊亂現(xiàn)象不是一行或一列中的多個選擇單元 30 的全部都不點亮，而是發(fā)生部分散在地存在，故一般認為暗部噪點是 由于地址放電沒有進行，或者即使進行也是其強度不足的地址丟失。 解決上述各問題的方法已有如下公開的文獻，其一，是將利用真空成膜法，形成以500- 10000重量ppm的范圍內(nèi)的比例含有Si的 MgO膜，并作為耐噴濺性保護膜，做成PDP (例如參照曰本特許第 3247632號公報）。其二，是在日本專利第3247632號公報中，通過在 MgO膜中含有上述比例的Si,可以抑制出現(xiàn)導致暗部噪點的地址丟
5 失。
另外，有文獻公開如下的PDP，通過脂肪酸的熱分解，形成以 1000 ~ 40000重量ppm的比例含有Si的MgO膜，將該膜用作耐噴濺 性保護膜（例如，參照特開2001 - 110321號公報）。根據(jù)特開2001 -110321號公報中所示的技術，利用脂肪酸鹽的熱分解形成的MgO膜 10 中的微量成分，改善電特性，二次電子的放出量增大，從而補償殘留 電荷產(chǎn)生的有效電壓的降低。電荷的本身殘留得到減少，殘留電荷快 速消失，因此可以抑制導致出現(xiàn)暗部噪點的地址丟失。
一方面，有文獻顯示，在PDP屏幕中，放電單元的形狀及屏幕驅動時的外加電壓、頻率等各種條件對應答性具有影響（例如，參照 is A.Seguin, L.Tessier, H.Doyeux and S.Salavin, “ Measurement of Addressing Speed in Plasma Display Devices.”，IDW’99, p699-702 )„ 在該文獻中公開了評價PDP應答性的方法。
另外，文獻顯示，通過對放電單元內(nèi)照射真空紫外線，改善應答 性（例如，參照 R.Ganter，Th.Callegari, N.Posseme, B.Caillier and 20 J.P.Boeuf , “Photoemission in Plasma Display Panel Discharge Cells.”，IDW’00, p731-734)。在該文獻中也公開了評價PDP應答性 的方法。
上述專利文獻及非專利文獻沒有特別涉及評價應答性時的溫度條 件，一般是對室溫附近的條件下的應答性進行評價。
25 但是，不同制造商將PDP的保證溫度設定為最低溫度or、更優(yōu)
選-151C,最高溫度70X：、更優(yōu)選901C，上下幅度大。因此，本發(fā) 明者在-15lC~901C寬的溫度范圍內(nèi)，對放電應答性進行評價，進一 步進行評細的調(diào)查，表明，應答性與溫度具有相關性。具體的是，當 在某溫度下的放電應答時間超過閥值時，則發(fā)生寫入放電不良，出現(xiàn) 30 屏幕閃爍的問題。另外，當放電應答性差的情況下，需要延長地址時 間，結果吸持（sustain )時間短，不能得到足夠的屏幕輝度，故為了 改善屏幕輝度通過進行雙掃描，補償輝度。但是，對于雙掃描需要多個地址1C數(shù)，故存在電路成本升高的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種在寬的溫度范圍具有良好放電應答性 的多晶MgO的蒸鍍材料。
5 本發(fā)明的另外的目的在于，通過縮短地址時間，延長吸持時間，
得到提高屏幕輝度的PDP的材料的多晶MgO蒸鍍材料。
本發(fā)明的另外的目的在于，提供一種不降低屏幕輝度，即可大副 度減少地址1C數(shù)的作為PDP的材料的多晶MgO蒸鍍材料。
一種實施方式可以達到上述目的，該方式提供一種PDP的保護 10 膜用多晶MgO蒸鍍材料，它由MgO純度為99.9。/。以上、且相對密度 為90%以上的多晶MgO的燒結顆粒構成，在多晶MgO中含有的Si 濃度為30ppm以上、小于500ppm。
根據(jù)上述方式，使在多晶MgO中含有的Si的農(nóng)度在上述范圍內(nèi) 的MgO蒸鍍材料成膜，形成的MgO膜在寬的溫度范圍內(nèi)可以具有良 15 好的放電應答性。
另外，在多晶MgO蒸鍍材料中含有的Si的濃度優(yōu)選220 ~ 480ppm,更優(yōu)選 250 ~ 450ppm,最優(yōu)選 280 ~ 350ppm。
使上述構成的多晶MgO蒸鍍材料成膜，形成的MgO膜在寬的溫 度范圍可以得到良好的放電應答性。
20 另外，使上述構成的多晶MgO的蒸鍍材料成膜，利用成膜后的
MgO膜的PDP在寬的溫度范圍可以得到的良好的應答性，因為可以 縮短地址時間，延長吸持時間，故可以提高屏幕的輝度。一方面因為 可以確保必要的足夠的屏幕輝度，故可以不降低屏幕的輝度，大副度 地減少地址1C數(shù)。
25 附圖說明
圖1是顯示PDP內(nèi)部結構的主要部件的剖面斜視圖。
圖2是顯示實施例1 ~ 4和比較例1 ~ 3的MgO膜的應答性和溫 度的關系的圖.
圖3是顯示實施例5、6和比較例4的PDP模組的地址放電時的 30應答性和Si濃度的關系的圖。
具體實施方式
下面對本發(fā)明的實施方式進行說明。
本發(fā)明者對多晶MgO的蒸鍍材料及使用該蒸鍍材料進行成膜的 MgO膜中的雜質種類及其含量，對放電應答性的影響進行了研究， 結果表明，多晶MgO中含有的Si濃度具有較大的影響。另外，一般 多晶MgO中的Si濃度越大，放電應答性越良好，但是，再增加相反 5出現(xiàn)劣化，因此在考慮在產(chǎn)品中應用時，發(fā)現(xiàn)存在最佳的Si濃度范圍。 存在上述溫度相關性的主要原因，是因為通過添加Si可以提高二次電 子放電能力。
本發(fā)明調(diào)整Si濃度后的多晶MgO蒸鍍材料是PDP的保護膜用 蒸鍍材料的改進，由MgO純度99.9%以上且相對密度90%以上的多 10 晶MgO的燒結顆粒構成。具有該特征的結構中，多晶MgO中含有的 Si的濃度在30ppm以上、小于500ppm。
多晶MgO中含有的Si的濃度比例在上述濃度范圍時，本發(fā)明的 MgO蒸鍍材料中，Si在MgO矩陣的晶界及粒子內(nèi)作為亞微米~5nm 左右的粒狀的析出物存在。使用EPMA ( Electron Probe 15 MicroAnalyzer )進行分析測定，表明本發(fā)明的MgO蒸後材料中Si 以CaSi04& CaMgSi204、MgSi03等復合氧化物及Si02的形式存在。
多晶MgO中含有的Si的濃度如果小于下限值，或在上限值以上， 則低溫下的應答性不好。優(yōu)選Si濃度為220~480ppm，更優(yōu)選250 ~ 450ppm。特別優(yōu)選 280 ~ 350ppm。
20 例如將本發(fā)明的MgO蒸鍍材料利用電子束蒸鍍法成膜，對形成 的MgO膜中含有的Si利用X線衍射（XRD、X-ray Diffractmeter ) 進行測定，結果沒有發(fā)現(xiàn)MgO以外的物質、也就是MgO蒸鍍材料中 存在的上述復合氧化物類的物質。而且，本發(fā)明的MgO膜中的MgO 的晶格常數(shù)比通常的MgO的晶格常數(shù)小一些，由此可以推測比Mg 25離子半徑小的Si以進入MgO晶格內(nèi)的形式存在。
下面，對如上所述構成的本發(fā)明的MgO的蒸鍍材料的制造方法 進行說明。
首先，將純度99.9%以上的高純度MgO粉末、多晶MgO中含有 的Si濃度為30ppm以上不足500ppm的量的高純度二氧化硅粉末、 30 粘合劑和有機溶劑進行混合，配制濃度為30~75重量％的漿料。優(yōu) 選40 ~ 65重量％的漿料。將漿料的濃度限定在30~75重量％原因在 于，當超過75重量％時，因為上述漿料是非水性，故存在難以穗定混合造粒的問題，當不足30重量。/。時，可以得到具有均勻組織的致 密的MgO燒結體。MgO粉末的平均粒徑優(yōu)選在0.1~5.0nm的范圍 內(nèi)。將MgO粉末的平均粒徑設定在上述范圍內(nèi)的原因在于，當不足 下限值時，粉末過細而凝聚，故粉末難以處理，難以配制高濃度漿料；
5當超過上限值時，難以控制微細結構，不能得到致密的燒結體顆粒。
考慮到防止Si存在量的不均勻性和與MgO矩陣的反應性以及Si 化合物的純度，二氧化硅粉末優(yōu)選一次粒子直徑為納米級的二氧化硅 粒子，特別優(yōu)選使用由氣相法得到的比表面積為50~ 300m/g的超微 粉二氧化娃(Aerosil )。
10 粘合劑優(yōu)選使用聚乙二醇及聚乙烯基丁縮醛等，有機溶劑優(yōu)選使用乙醇及丙醇等。粘合劑優(yōu)選添加0.2 ~ 5.0重量％。
另外，高純度粉末、粘合劑和有機溶劑的濕式混合，特別是高純 度粉末和作為分散劑的有機溶劑的濕式混合通過濕式球磨機或攪拌磨 機進行。濕式球磨機中在使用Zr02制球的情況下，使用直徑5 ~ 10mm 15 的多個Zr02制球，濕式混合8 ~ 24小時，優(yōu)選20 ~ 24小時。將Zr02 制球的直徑限定為5 ~ 10mm是因為不足5mm時混合不充分，超過 10mm則雜質增加。混合時間設定為最長24小時是因為即使長時間地 連續(xù)混合，雜質產(chǎn)生得也少。
攪拌磨機使用直徑1 ~ 3mm的多個Zr02制球，濕式混合0.5 - 1 20 小時。將Zr02制球的直徑限定為1 ~ 3mm是因為不足1mm時混合不 充分，超過3mm則雜質增加，不適合。混合時間設定為最長1小時 是因為超過1小時，不只是原料發(fā)生混合，球本身受到磨損，因而導 致雜質產(chǎn)生，另外，只要有1小時，就可以充分地進行混合。
然后，使上述漿料進行噴霧干燥，得到平均粒徑50~ 250nm、優(yōu) 25 選50~ 200nm的混合造粒粉末。將該造粒粉末放入特定的模具內(nèi)， 以特定的壓力成形。上述噴霧干燥優(yōu)選使用噴霧式干燥機進行，特定 的模具使用單螺桿擠壓裝置或冷等靜壓成形裝置（CIP ( Cold Isostatic Press )成形裝置）。使用單螺桿加壓裝置將造粒粉末750 ~ 2000kg/cm、 優(yōu)選在1000- 1500kg/cm2的壓力下進行單螺桿加壓成形；利用CIP 30 成形裝置，將造粒粉末在1000 ~3000kg/cm2、優(yōu)選1500 ~ 2000kg/cm2 的壓力下，進行CIP成形。將壓力限定在上述范圍，是因為在提高成 形體的密度的同時可以防止燒結后發(fā)生變形，不需要進行后加工。
再將在特定溫度下燒結成形體。在大氣、惰性氣體、真空或還原 氣氛中，在1350X：以上、優(yōu)選1400- 1800X：的溫度下燒結1 ~ 10小 時，優(yōu)選2~8小時。由此可以得到相對密度為90%以上的燒結體顆 粒。上述燒結在大氣壓下進行，但在加壓燒結進行熱壓（HP)燒結或 5 熱等靜壓（HIP、Hot Isostatic Press )燒結的情況下，優(yōu)選在惰性氣 體、真空或還原氣體氣氛中在1350X：以上的溫度下，燒結1~5小時。
使用這樣得到的燒結顆粒的多晶MgO蒸鍍材料，在基板表面上 形成MgO膜。
圖1顯示本發(fā)明的PDP的內(nèi)部結構的斜視圖。
10 在面放電形式的AC型PDP10中，通常在前玻璃基板11的畫面
橫向上，成對地平行設置吸持電極12和掃描電極13。另外，后玻璃 基板14的畫面縱向上配置著地址電極16.該吸持電極12和掃描電極 13的間隙稱作放電間隙，該間隙設定為約80jim。另外，前玻璃板基 板11和后玻璃基板14通過10~15(Hun左右高度的隔壁17隔開，該 is 隔壁17的壁面機底部上涂布有熒光體粉末18。彩色顯示的情況下， 在線方向上形成并排的3個放電空間的隔壁17的背面及底部上，分 別涂布有3色（R、G、B)的熒光體18G、18B、18R,形成3個子 像素（單元發(fā)光區(qū)域），將它們設定為1像素。在由前玻璃基板11、 后玻璃基板14及隔壁17形成的放電空間19中，封入氣體。該封入 20氣體使用Ne (氖）及Xe (氙）等惰性氣體的混合氣體。
被夜吸持電極12及掃描電極13的電介質玻璃層21的表面上， 為了減少放電時放電氣體產(chǎn)生的離子沖擊，設置耐噴濺性高的保護膜 22。PDP中因為保護膜22的材質和膜質對放電特性有較大的影響， 故該保護膜具有放電電極的作用.該保護膜材料耐噴濺性好，且使用 25 二次電子放出系數(shù)高的絕緣物，即，本發(fā)明的MgO。
對于如上所述構成的矩陣顯示形式的AC型PDP，使在前玻璃基 板11和后玻璃基板14之間設有的放電空間19內(nèi)相對的吸持電極12 和掃描電極13與地址電極16之間進行等離子體放電，使封入該放電 空間19內(nèi)的氣體產(chǎn)生的紫外線照射設置在放電空間19內(nèi)的熒光體 30 18，由此進行顯示。在作為顯示元件的單元的點亮狀態(tài)的維持（吸持） 中利用記憶效應。在顯示時，首先，在某個圖形的吸持結束到下一個 圖象的尋址（寫入）之間對畫面整體的壁電荷進行消去（重設定）。
然后，只在應該點亮（發(fā)光）的單元上蓄積壁電荷，進行線性依次尋 址（寫入）。然后，對于所有的單元一起外加比輪換極性的放電起始 電壓低的電壓（吸持電壓）。在存在壁電荷的單元上，由于壁電壓與 吸持電壓相重疊，故外加在單元上的有效電壓超過放電開始電壓而發(fā) 5生放電。通過使吸持電壓的外加頻率增高，得到表觀上連續(xù)點亮的狀 態(tài)。
在上述尋址（寫入）中，通過在后玻璃基板的地址電極和前玻璃 基板的掃描電極間進行寫入放電，進行壁電荷的蓄積。例如，利用以 前使用的分辨率在VGA ( Visual Graphics Array )等級上為256灰度 10 等級顯示（8子圖場）的PDP，進行寫入放電3網(wǎng)時，需要依次寫入 480線，故驅動時間的大約10%用于消去壁電荷，大約70%用于寫入 圖象數(shù)據(jù)，實際上顯示圖象的時間只有剩余的約20%左右。PDP情 況下，該圖象顯示時間越長，屏幕的輝度看起來越明亮。為了改善屏 幕輝度，可以將驅動地址電極的地址1C數(shù)設定為2倍，通過分別寫 15 入圖象的上下部（雙掃描），縮短寫入時間，延長圖象顯示時間。但 是，當使用該方法時，存在的問題是電路成本增加。
對此，使用本發(fā)明的MgO蒸鍍材料成膜的MgO膜在寬的溫度范 圍可以得到良好的放電應答性，故可以縮短寫入放電的時間•因此， 使用該保護膜的本發(fā)明的PDP可以延長圖象顯示時間，故可是提高 20 屏幕輝度。另外，也可以不降低屏幕輝度，大幅度地減少地址1C數(shù)。
實施例
下面，對本發(fā)明的實施例和比較例一起詳細進行說明。
25 實施例1
準備MgO純度99.95%、相對密度98%、多晶MgO中含有的Si 的濃度為300ppm的燒結顆粒作為多晶MgO蒸鍍材料。顆粒的大小 為5mmc})、1.6mmt0另外，準備玻璃基板，該玻璃基板的表面上層 積有ITO電極和銀電極并形成電極，進而形成了電介質玻璃層以使其30覆蓋該電極。
在形成于該玻璃基板上的電介質玻璃層的上面，利用電子束蒸鍍 法形成膜厚8000 A的結晶取向性（111)的MgO膜。成膜條件是：達到的真空度為1.0xio_4Pa,氧氣分壓為1.0xl(r2Pa，基板溫度為 200X：,成膜速度為20A/秒。
實施例2
準備MgO純度99.91%、相對密度94%、 的濃度為250ppm的燒結顆粒作為多晶MgO 利用和實施例1相同的方法形成MgO膜。
多晶MgO 蒸鍍材料，
中含有的Si 除此之外，
實施例3
準備MgO純度99.93%、相對密度92%、 的濃度為400ppm的燒結顆粒作為多晶MgO 利用和實施例1相同的方法形成MgO膜。
多晶MgO 蒸鍍材料，
中含有的Si 除此之外，
多晶MgO
蒸鍍材料，
中含有的Si 除此之外，
15
實施例4
準備MgO純度99.95%、相對密度95%、 的濃度為450ppm的燒結顆粒作為多晶MgO 利用和實施例1相同的方法形成MgO膜。
實施例5
準備MgO純度99.98%、相對密度98%、多晶MgO中含有的Si 的濃度為30ppm的燒結顆粒作為多晶MgO蒸鍍材料，除此之外，利 用和實施例1相同的方法形成MgO膜，使用形成的MgO膜，制造PDP 模組。制造的模組利用ADS ( Address Display Separation )方式進行 驅動，利用實際儀器評價地址放電時的應答時間。
實施例6
比較例1
準備MgO純度99.96%、相對密度98。/。、多晶MgO中含有的Si 的濃度為25ppm的燒結顆粒作為多晶MgO蒸鍍材料，除此之外，利 用和實施例1相同的方法形成MgO膜。
比較例2
準備MgO純度99.90%、相對密度95%、 的濃度為550ppm的燒結顆粒作為多晶MgO 利用和實施例1相同的方法形成MgO膜。
多晶MgO中含有的Si 蒸鍍材料，除此之外，
比較例3
準備MgO純度99.0%、相對密度95%、 的濃度為240ppm的燒結顆粒作為多晶MgO 利用和實施例1相同的方法形成MgO膜。
多晶MgO中含有的Si 蒸鍍材料，除此之外，
15
比較例4
準備MgO純度99.98%、相對密度98%、多晶MgO中含有的Si 的濃度為lOOOppm的燒結顆粒作為多晶MgO蒸鍍材料，除此之外， 利用和實施例1相同的方法形成MgO膜，和實施例5同樣制造PDP 模組。制造的模組利用ADS方式進行驅動，利用實際儀器評價地址 放電時的應答時間。
比較實驗及評價
使用具有實施例1 ~ 4及比較例1 ~ 3得到的MgO膜的玻璃基板， 25 分別制造測試基板。具體如下，首先將具有MgO膜的玻璃基板做成 前玻璃基板。然后，準備后玻璃基板，其中，該玻璃基板為層積并形 成銀電極和白色電介質玻璃層后，在其上形成高度150nm、間距360|xm 的隔壁（棱紋）的玻璃基板。使上述的后玻璃基板和前玻璃基板相對 配置。前玻璃基板、后玻璃基板、利用隔壁形成的放電空間中注入 30 Ne-4%Xe混合氣體作為放電氣體用。
使用如上所述得到的測試基板，在-15X：、0X：、25V, 50*C、70 X：及901C的各溫度條件下進行模擬地址放電試驗，也就是在2片玻璃基板間進行對向放電試驗。試驗條件如下：將放電氣體壓力設定為 150Torr即約2.0 x 104Pa,外加電壓設定為250V、頻率設定為10Hz。 在上述的條件下進行試驗，利用光電倍增管檢測由放電放出的近紅外 線，將外加電壓之后到發(fā)光結束的時間評價為應答時間。另外，在該 5 應答時間中含有統(tǒng)計性的發(fā)光偏差。圖2分別顯示試驗結果。另外， 使用在同樣條件下成膜的MgO膜制造的42英寸屏幕，實際評價應答 性，比較得到的結果，據(jù)此，在圖2中，將粗線表示的設定的閥值設 定為500叫。
在使用比本發(fā)明規(guī)定的MgO純度低的MgO的比較例3中，由圖 10 2可知，結果在室溫附近的試驗結果超過閥值，當使用純度低的MgO 蒸鍍材料時，應答性差。在Si濃度比本發(fā)明的Si濃度范圍低的比較 例1及高的比較例2中，-151C時的應答時間超過閥值。結果可知， MgO中的Si濃度比本發(fā)明規(guī)定的下限值（30ppm)低時，以及比上 限值（ 500ppm)高時，在低溫條件下的應答性差。從應答時間超過 is 上述閥值的結果可以推測，使用和比較例1~3相同條件下成膜的MgO 膜，實際制造42英寸屏幕，驅動該屏幕時，確認出現(xiàn)寫入錯誤、在 屏幕上出現(xiàn)閃爍。與此相對，實施例1~4，MgO中的Si濃度在本發(fā) 明的來度范圍(30ppm以上、小于500ppm)內(nèi)，在-15X：到90X：的 寬溫度范圍形成閥值以下的應答時間，應答性非常好。
20 然后，將實施例5、6和比較例4分別制造的模組利用ADS驅動，
利用實際儀器評價地址放電時的應答時間•在圖3中分別顯示其試驗 結果。
如圖3所示，在Si濃度為30ppm的實施例及Si濃度為300ppm 的實施例6中，從目標應答時間（1網(wǎng)以下）可知，具有低的應答時 25 間，顯示出良好的結果。與此相對，Si濃度為lOOOppm比較例4中， 超過目標應答時間，可知應答性差。如上所述，對于應答性，可知MgO 膜中含有的Si濃度具有最佳來度范圍。
工業(yè)實用性
如上所述，本發(fā)明的調(diào)整Si農(nóng)度后的多晶MgO蒸鍍材料屬于PDP 30的保護膜用蒸鍍材料的改進，其特征在于，由MgO純度為99.9%以 上且相對密度90%以上的多晶MgO燒結顆粒構成，多晶MgO中含 有的Si的濃度為30ppm以上、不足SOOppm。使用Si農(nóng)度在上述范圍內(nèi)的MgO蒸鍍材料成膜的MgO膜在寬的溫度范圍具有良好的放電 應答性。另外，使用該MgO膜制成的PDP可以提高屏幕輝度，而且 不降低屏幕輝度，即可大幅度地減少地址1C數(shù)。
準備MgO純度99.98%、相對密度98%、多晶MgO中含有的Si 的濃度為300ppm的燒結顆粒作為多晶MgO蒸鍍材料，除此之外， 利用和實施例1相同的方法形成MgO膜，和實施例5同樣地制造PDP 模組。制造的模組利用ADS方式進行驅動，利用實際儀器評價地址 放電時的應答時間。
