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摘要
本發(fā)明涉及一用于鍍膜的鍍膜機(jī)，特別是通過 陰極濺射方法對(duì)大面積基片鍍膜的鍍膜機(jī)，該鍍膜 機(jī)帶有一鍍膜室，且其中設(shè)置一陰極組件(2),在該陰極組件(2)中，用于濺射的材料被設(shè)置在具有 彎曲表面的靶(4)上，該用于濺射的材料特別位于 圓柱的側(cè)面上;至少3個(gè)、優(yōu)選更多的帶有可轉(zhuǎn)動(dòng) 的、彎曲的靶(4)的陰極組件(2)被并排地設(shè)置在用 于連貫的鍍膜區(qū)域的單一的鍍膜室中。
1. 一種用于鍍膜的鍍膜機(jī)，特別是通過陰極濺射對(duì)大面積基片鍍膜 的鍍膜機(jī)，其具有一鍍膜室和設(shè)于鍍膜室內(nèi)的一陰極組件(2),在該陰極
: 組件(2 )處待濺射的材料被定位在靶(4 )上，該靶(4 )在鍍膜過程中 轉(zhuǎn)動(dòng)且具有曲形表面，該待濺射的材料特別位于圓柱的側(cè)表面上，其特征 在于：至少3個(gè)、優(yōu)選更多的帶有多個(gè)可轉(zhuǎn)動(dòng)的、彎曲的靶(4)的陰極 紐件(2)被并排地設(shè)置在用于連貫的鍍膜區(qū)域的單一的鍍膜室中。
2.如權(quán)利要求1所述的鍍膜機(jī)，其特征在于：帶有多個(gè)可轉(zhuǎn)動(dòng)的、
10彎曲的靶(4)的多個(gè)陰極組件被支撐在一端面區(qū)域中的一端。
3.如權(quán)利要求1或2所述的鍍膜機(jī)，其特征在于：該帶有多個(gè)可轉(zhuǎn) 動(dòng)的、彎曲的靶的多個(gè)陰極組件(2)為磁控管。
4.如權(quán)利要求3所述的鍍膜機(jī)，其特征在于：該磁控管陰極具有多 個(gè)磁體(3 )或磁體組件;該磁體(3 )或磁體組件可轉(zhuǎn)動(dòng)或旋轉(zhuǎn)，特別是
1 5 繞陰極的縱向軸轉(zhuǎn)動(dòng)或旋轉(zhuǎn)。
5.如權(quán)利要求3所述的鍍膜機(jī)，其特征在于：所述多個(gè)磁體組件的 磁體(3 )，尤其是在邊緣區(qū)域的多個(gè)磁體(3 )可被旋轉(zhuǎn)或移動(dòng)，以增大 磁場(chǎng)面積(6)。
6.如以上權(quán)利要求之一所述的鍍膜機(jī)，其特征在于：多個(gè)的陰極組 件被布置在到基片不同距離的位置上，其中所述基片需定位于鍍膜區(qū)域 中，所述多個(gè)組件特別地沿繞鍍膜區(qū)域彎曲的一表面布置。
7.如以上權(quán)利要求之一所述的鍍膜機(jī)，其特征在于：多個(gè)陰極組件 設(shè)置的方式為這些陰極組件彼此相隔地設(shè)置，且它們的縱向軸彼此平行， 這些陰極組件被特別地等間距地定位,優(yōu)選只有外側(cè)的陰極組件被布置得
25與其鄰近的陰極更加靠近。
8.如權(quán)利要求6或7所述的鍍膜機(jī)，其特征在于：所述多個(gè)陰極組 件被布置在一圓柱體的側(cè)面上，從陰極組件觀察，該圓柱的縱向軸位于鍍 膜區(qū)域之內(nèi)或者之后，優(yōu)選的是，只有兩個(gè)外側(cè)的陰極組件從朝向鍍膜區(qū) 域的側(cè)面轉(zhuǎn)移。
9.如權(quán)利要求8所述的鍍膜機(jī)，其特征在于：圓柱的半徑比鍍膜區(qū) 域和陰極組件之間的距離大。
10.如權(quán)利要求3至9之一所述的鍍膜機(jī)，其特征在于：該陰極組件 的磁體或磁體組件特別徑向地朝向鍍膜區(qū)域定位，該磁體或磁體組件特別
>如權(quán)利要求3所述特別是以一指定的速度繞此位置旋轉(zhuǎn)。
11.如權(quán)利要求3至10之一所述的鍍膜機(jī)，其特征在于：另外的磁 體或磁體組件設(shè)置在朝向遠(yuǎn)離鍍膜區(qū)域的一側(cè)，特別是設(shè)置在陰極組件的 端面的鄰近位置;在後膜過程中，該磁體或磁體組件通過產(chǎn)生等離子避免 再沉積。
12.如上述權(quán)利要求之一所述的鍍膜機(jī)，其特征在于：在鍍膜過程中，該基片被輸送裝置移動(dòng)。
13.如上述權(quán)利要求之一所述的鍍膜機(jī)，其特征在于：該鍍膜區(qū)域?yàn)槠矫妗?/p>
帶有可轉(zhuǎn)動(dòng)的磁控管的大面積組件的鍍膜機(jī)
; 技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及如權(quán)利要求1的前序部分所述的鍍膜機(jī)。
背景技術(shù)
鍍膜機(jī)已經(jīng)在很長(zhǎng)的一段時(shí)間被人們所了解且被廣泛使用以達(dá)到各 n種鍍膜目的，該鍍膜機(jī)是通過陰極濺射的方式在基片上鍍膜。鍍膜機(jī)的設(shè) 計(jì)和制造工藝根據(jù)鍍膜必須滿足的特定要求而發(fā)生很大的變化。例如有很 多種不同的陰極，如平板陰極，磁控管陰極，可旋轉(zhuǎn)磁控管等等。由于帶 有平面陰極，所以要被濺射的鍍膜材料被構(gòu)造成扁平形的I巴，且所謂的可 旋轉(zhuǎn)的陰極的把表面被彎曲，具體被構(gòu)造成一種圓柱形管體的形式。在鍍 膜過程中，由于圓柱形管體的連續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)，靶材料被均勾地濺射，從而避免 出現(xiàn)可影響鍍膜質(zhì)量的局部集中濺射和由此產(chǎn)生的紋槽。
通過使用所述的磁控管陰極或磁控管，同樣可達(dá)到改善鍍層的目的， 依靠上述磁控管陰極或磁控管，濺射靶后面的磁體組件可使在靶前形成等 離子更容易，同時(shí)使等離子更加穩(wěn)定和均勻。使用所述的旋轉(zhuǎn)磁電管也是 ■ >特別為人們所公知的，其中磁體或磁體組件被同心地設(shè)置在圓柱形管狀靶 的內(nèi)部。這種可移動(dòng)的磁控管用于例如為建筑玻璃鍍膜的連續(xù)運(yùn)行的串聯(lián) 弍(in-line )的鍍膜機(jī)。本領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用通常在鍍膜工作室內(nèi)并排設(shè)置 兩個(gè)這樣的磁控管。這種布置的缺點(diǎn)是僅有一小塊鍍膜區(qū)域能夠獲得具有 恒定鍍膜厚度的均勾鍍膜。這就，對(duì)面積較大的表面來說，即面積較大的 ; 基片，就必須移動(dòng)需被鍍膜的基片。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種鍍膜機(jī)，且特別是一種陰極組件，通過使 用該陰極組件可以對(duì)較大面積的基片均勾鍍膜，并且特別是在鍍膜過程中，可使多余噴涂形成的材料損耗較低。另外，該鍍膜機(jī)還易于裝設(shè)立和
操作。
這一目的可依靠具有如權(quán)利要求1所述的技術(shù)特征的鍍膜機(jī)實(shí)現(xiàn)。而 多個(gè)有益的具體實(shí)施例形成了從屬權(quán)利要求的主題。
本發(fā)明第一次解決了能夠?yàn)榇竺娣e鍍膜區(qū)域提供均一厚度的均勻鍍 膜而不必大量消耗鍍膜材料的問題。也就是說，本發(fā)明可在不移動(dòng)基片的 情況下對(duì)大面積基片進(jìn)行靜態(tài)地鍍膜。令人驚訝的是，下列的情況被發(fā)現(xiàn)： 即如果陰極組件帶有帶有可轉(zhuǎn)動(dòng)的、曲形的革巴，特別是革巴為圓柱形管狀， 多個(gè)陰極，特別是至少為3個(gè)、優(yōu)選為4、5、6個(gè)或更多的陰極，可以彼 lo 此并排地設(shè)置，以產(chǎn)生一個(gè)大面積的鍍膜區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)通過使用在曲 形靶表面濺射的專門的方法，能夠?qū)崿F(xiàn)均勻的鍍膜，特別是均勻且厚度一 致的鍍膜，而不必大量消耗鍍膜材料。這一優(yōu)勢(shì)主要?dú)w因于曲形的乾表面; 根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例，通過構(gòu)造陰極本身和將許多陰極彼此相對(duì)地組合，使所 沉積的大面積鍍膜的均勾度得到進(jìn)一步改善，同時(shí)保持材料的低消耗;通 L; 過這種方式，可使積極的技術(shù)效杲得到加強(qiáng)或提高。
對(duì)于陰極的結(jié)構(gòu)，這里已經(jīng)證明使用磁控管陰極是有利的，該磁控管 陰極將磁場(chǎng)陣列陳列在把后_在圓柱形靶的情況下，處于圓柱形管體的核 心-從而在靶表面前形成并且穩(wěn)定等離子。
該磁體組件優(yōu)選的是可繞陰極的縱向軸線轉(zhuǎn)動(dòng)或回旋(即在圓柱管形 :n 的靶的情況下圍繞圓柱的縱向軸)，這樣，磁體或磁體組件能夠被調(diào)整或 被設(shè)置成朝向基片。通過以這一方式轉(zhuǎn)動(dòng)或旋轉(zhuǎn)磁體或磁體組件，位于靶 表面上的減射區(qū)域叉替地朝向基片的方向;在正確設(shè)置的情況下，這一'布 置可實(shí)現(xiàn)在基片上均勻鍍膜沉積，既均勾厚度地鍍膜。
特別是，根據(jù)優(yōu)選的實(shí)施例，鍍膜機(jī)可以被構(gòu)造，以使得磁體或磁體 :5組件在鍍膜過程中在指定的位置持續(xù)振蕩(即來回往復(fù)移動(dòng))，該方式同 樣可產(chǎn)生均勻的鍍膜的沉積。
另外，磁體或磁體組件也可在磁體組件內(nèi)旋轉(zhuǎn)和移動(dòng)，從而可改變磁 場(chǎng)區(qū)域面軹，以積極地影響鏈膜沉積。在應(yīng)用圓柱形管狀靶的情況下，該 磁體組件可以例如定位在一圓柱體管的片段中，該圓柱體管的片段沿著指向基片的25度的片段的陰極的縱向軸。為增大磁場(chǎng)面積，能夠增大該 片段，例如通過替換或圍繞陰極的縱向軸向外旋轉(zhuǎn)外部磁體，從而使 磁體裝配在例如35度的片段中。
在磁體或磁體組件在一個(gè)位置附近振蕩或振動(dòng)(搖擺)的情況下，還 ; 可以以不同的方法限定或設(shè)置磁體或磁體組件移動(dòng)的速度，這樣，在例如 磁體或磁體組件在零位置附近來回移動(dòng)的過程中，絕對(duì)速度根據(jù)位置而不 同。例如，可以在換向點(diǎn)處選擇低速，而在換向點(diǎn)之間選擇高速。
根據(jù)有益的實(shí)施例，在臨近靶端面的位置，在朝向遠(yuǎn)離鍍膜區(qū)域的陰 極的'一側(cè)對(duì)另外的磁體組件或磁體設(shè)置圓柱形管狀把或多個(gè)陰極是有利 o 的，以使得等離子可在乾表面前的這一區(qū)域形成。這一方法可避免在靶上 形成再沉積。
除了提供具有帶有適合的磁體或磁體組件的可轉(zhuǎn)動(dòng)的曲形靶的陰 極組件以積極地影響沉積過程外，還可以通過定位陰極組件，并且特 別是通過將陰極組件定位在一個(gè)圍繞鍍膜區(qū)域的曲形表面上，以改進(jìn) ;和加強(qiáng)在大面積鍍膜區(qū)域上進(jìn)行厚度一致的鍍膜的均勾沉積，該陰極 組件在鍍膜區(qū)域中并排地設(shè)置以確保在到鍍膜區(qū)域(也就是距離基 片)的不同距離的單一的、一致的大面積鍍膜區(qū)域。
在本文中，已經(jīng)證明將該曲形表面設(shè)置成一圓柱形表面是有利的，這 樣，在對(duì)截面圖進(jìn)行觀察時(shí)，陰極基本分布在環(huán)形的軌道上，優(yōu)選的是彼 0 此間等距離且它們的縱向的軸相互平行。
在另一個(gè)有益的實(shí)施例中，陰極組件可以是這樣布置的：在陰極序列 的邊緣的兩個(gè)陰極向內(nèi)進(jìn)一步朝向基片移動(dòng)，和/或被推動(dòng)直到更接近臨 近的陰極。這樣設(shè)置可對(duì)鍍膜的均勾沉積產(chǎn)生積極的影響，特別是對(duì)于鍍 膜區(qū)域的邊緣區(qū)域。 s 該環(huán)形軌道的半徑，即陰極所定位的圓柱形的側(cè)面的半徑，優(yōu)選為比
陰極和基片或鍍膜區(qū)域之間的距離大很多，從而該陰極沿其定位的表面 僅為輕微彎曲。
在帶有位于環(huán)形軌道或圓柱形側(cè)面的陰極的情況下，如果磁控管陰極 的磁體或磁體組件徑向地指向鍍膜區(qū)域，也就是說，優(yōu)選穿過全部陰極的磁體裝置的中心垂直線指向陰極所定位的圓環(huán)或圓柱體的中心，則特別有 利;仍然可以想到的是，磁體或磁體組件可在位置附近旋轉(zhuǎn)或振動(dòng)。
特別地,盡管鍍膜機(jī)或陰極組件或陰極的結(jié)構(gòu)容許大面積的靜態(tài)鍍膜 (即不必移動(dòng)基片)，但是對(duì)于由傳送裝置移動(dòng)的基片當(dāng)然也是可以的。 ;在此實(shí)施例中大面積鍍膜的優(yōu)點(diǎn)也能夠得到開發(fā)利用。
鍍膜區(qū)域本身通常是平面的，但是它也可以是彎曲的。在后面的實(shí)施 例中，只需要恰當(dāng)調(diào)整陰極組件的位置，從而保持鍍膜區(qū)域的位置和陰極 位置之間的相對(duì)關(guān)系。
帶有圓柱形管的把的可轉(zhuǎn)動(dòng)的磁控管優(yōu)選地安裝在一端面的一端上， I-)特別是安裝在一個(gè)可移動(dòng)的架上，從而方便將其插入和從鍍膜室中將其拆除。
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帶有可轉(zhuǎn)動(dòng)的磁控管的大面積組件的鍍膜機(jī).pdf
