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(12)發(fā)明專利申請
(10)申請公布號 CN 102517545 A (43)申請公布日2012.06.27
(21) 申請?zhí)?201210011583. 9
(22) 申請日 2012. 01. 13
申請人信利半導(dǎo)體有限公司
地址516600廣東省汕尾市城區(qū)工業(yè)大道信 利電子工業(yè)城
發(fā)明人李建任思雨于春崎胡君文 謝凡李建華
(74)專利代理機構(gòu)北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限 公司11227
代理人逯長明
(51) Int. Cl.
C23C 14/08(2006. 01)
C23C 14/58 (2006. 01)
G02B 5/20(2006. 01)
權(quán)利要求書1頁說明書3頁附圖1頁
(54)發(fā)明名稱
一種鍍膜方法及鍍膜設(shè)備 (57)摘要
本發(fā)明公開一種鍍膜方法和鍍膜設(shè)備。一種 鍍膜方法，包括：清洗彩色濾光片;在所述彩色濾 光片的背面進(jìn)行低溫鍍膜，使所述彩色濾光片背 面鍍有一層納米銦錫金屬氧化物IT0膜;對所述 IT0膜進(jìn)行高溫退火。在本實施例中，在進(jìn)行清 洗后的彩色濾光片的背面進(jìn)行低溫鍍膜，并對彩 色濾光片的背面鍍上的IT0膜進(jìn)行高溫退火。由 于低溫鍍膜和高溫退火可以避免了彩色濾光片破 裂，從而增加產(chǎn)品合格率。同時，低溫鍍膜無需采 用專有高溫加熱腔室對彩色濾光片加熱，設(shè)備結(jié) 構(gòu)簡化，價格降低。
1. 一種鍍膜方法，其特征在于，包括：
清洗彩色濾光片;
在所述彩色濾光片的背面進(jìn)行低溫鍍膜，使所述彩色濾光片背面鍍有一層納米銦錫金 屬氧化物IT0膜;
對所述IT0膜進(jìn)行高溫退火。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜方法，其特征在于，所述低溫范圍為20°C至100°C。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜方法，其特征在于，所述高溫范圍為150°C至300°C。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜方法，其特征在于，經(jīng)過所述高溫退火后在所述彩色濾 光片的背面形成的IT0膜的厚度為200-300埃。
5. 一種鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括：
清洗機臺，用于清洗彩色濾光片;
鍍膜機臺，用于在所述彩色濾光片的背面進(jìn)行低溫鍍膜，使所述彩色濾光片背面鍍有 一層納米銦錫金屬氧化物IT0膜;
退火機臺，用于對所述IT0膜進(jìn)行高溫退火。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述低溫范圍為20°C至100°C。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述高溫范圍為150°C至300°C。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述退火機臺在對所述彩色濾光片 高溫退火后在所述彩色濾光片的背面形成的IT0膜的厚度為200-300埃。
一種鍍膜方法及鍍膜設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[1] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種鍍膜方法及鍍膜設(shè)備。
背景技術(shù)
[2] 液晶顯示器是一種放置在光源或者反射面前方的平面超薄的顯示設(shè)備，其主要原 理是以電流刺激液晶分子產(chǎn)生點、線、面配合背部燈管構(gòu)成畫面。液晶顯示器功耗很低，因 此廣泛應(yīng)用于使用電池的電子設(shè)備中。然而，現(xiàn)有液晶顯示器在使用過程中，產(chǎn)生靜電。而 靜電自身產(chǎn)生電場，從而影響液晶顯示器內(nèi)部電場，進(jìn)一步影響刺激液晶分子的電流，導(dǎo)致 液晶顯示器顯示畫面失真。
[3] 為了消除靜電對液晶顯示器顯示畫面的影響，在液晶顯示器的彩色濾光片的背面 上鍍一層ITO (Indium Tin Oxides,納米銦錫金屬氧化物)膜。現(xiàn)有鍍膜方法為：第一步， 清洗彩色濾光片;第二步，在彩色濾光片的背面進(jìn)行高溫鍍膜。
[4] 然而，在高溫鍍膜過程中，高溫加熱導(dǎo)致彩色濾光片變形破裂，降低產(chǎn)品合格率。 同時，高溫鍍膜要采用專有高溫加熱腔室對彩色濾光片加熱，設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜，價格高。
發(fā)明內(nèi)容
[5] 有鑒于此，本發(fā)明公開一種鍍膜方法，以解決高溫鍍膜導(dǎo)致的產(chǎn)品合格率降低，設(shè) 備結(jié)構(gòu)復(fù)雜和價格高的問題。
[6] 本發(fā)明還公開了一種鍍膜設(shè)備，用以保證上述方法在實際中的實現(xiàn)及應(yīng)用。
[7] 基于本發(fā)明的一方面，公開一種鍍膜方法，包括：
[8] 清洗彩色濾光片;
[9] 在所述彩色濾光片的背面進(jìn)行低溫鍍膜，使所述彩色濾光片背面鍍有一層納米銦 錫金屬氧化物IT0膜;
[10] 對所述IT0膜進(jìn)行高溫退火。
[11] 優(yōu)選地，所述低溫范圍為20°C至100°C。
[12] 優(yōu)選地，所述高溫范圍為150°C至300°C。
[13] 優(yōu)選地，經(jīng)過所述高溫退火后在所述彩色濾光片的背面形成的IT0膜的厚度為 200-300 埃。
[14] 基于本發(fā)明的一方面，還公開一種鍍膜設(shè)備，包括：
[15] 清洗機臺，用于清洗彩色濾光片;
[16] 鍍膜機臺，用于在所述彩色濾光片的背面進(jìn)行低溫鍍膜，使所述彩色濾光片背面 鍍有一層納米銦錫金屬氧化物IT0膜;
[17] 退火機臺，用于對所述IT0膜進(jìn)行高溫退火。
[18] 優(yōu)選地，所述低溫范圍為20°C至100°C。
[19] 優(yōu)選地，所述高溫范圍為150°C至300°C。
優(yōu)選地，所述退火機臺在對所述彩色濾光片高溫退火后在所述彩色濾光片的背面形成的IT0膜的厚度為200-300埃。
[0021 ] 在本實施例中，在進(jìn)行清洗后的彩色濾光片的背面進(jìn)行低溫鍍膜，并對彩色濾光 片的背面鍍上的IT0膜進(jìn)行高溫退火。由于低溫鍍膜和高溫退火可以避免了彩色濾光片破 裂，從而增加產(chǎn)品合格率。同時，低溫鍍膜無需采用專有高溫加熱腔室對彩色濾光片加熱， 設(shè)備結(jié)構(gòu)簡化，價格降低。
附圖說明
[22] 圖1為本發(fā)明實施例公開的鍍膜方法的流程圖;
[23] 圖2為本發(fā)明實施例公開的鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)框圖。
具體實施方式
[24] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明 的具體實施方式做詳細(xì)的說明。
[25] 在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以 采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的 情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。
[26] 其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表 示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng) 限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[27] 請參閱圖1，其示出了本發(fā)明公開的鍍膜方法的一種流程圖，可以包括以下步驟：
[28] 步驟101 :清洗彩色濾光片。
[29] 在本實施例中，清洗方式可以為超聲波清洗，或者使用清水清洗。
[30] 步驟102 :在所述彩色濾光片的背面進(jìn)行低溫鍍膜，使所述彩色濾光片背面鍍有 一層IT0膜。其中：在低溫鍍膜過程中，將彩色濾光片放置在真空環(huán)境中，在低溫范圍為 20°C至100°C下進(jìn)行鍍膜，因此，不需要有專門的高溫加熱腔室，可以簡化鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)， 降低設(shè)備成本。
[31] 步驟103 :對所述IT0膜進(jìn)行高溫退火。其中：在高溫退火過程中，將低溫鍍膜后 的彩色濾光片放置在氮氣保護(hù)環(huán)境中，在高溫范圍為150°C至300°C下進(jìn)行退火。經(jīng)過高溫 退火后，在彩色濾光片的背面形成的IT0膜的厚度為200-300埃。
[32] 應(yīng)用上述技術(shù)方案，在進(jìn)行清洗后的彩色濾光片的背面進(jìn)行低溫鍍膜，并對彩色 濾光片的背面鍍上的IT0膜進(jìn)行高溫退火。由于低溫鍍膜和高溫退火可以避免了彩色濾光 片破裂，從而增加產(chǎn)品合格率。同時，低溫鍍膜無需采用專有高溫加熱腔室對彩色濾光片加 熱，設(shè)備結(jié)構(gòu)簡化，價格降低。
[33] 與上述方法實施例相對應(yīng)，本發(fā)明還公開了一種鍍膜設(shè)備10，其結(jié)構(gòu)框圖請參閱 圖2，包括：清洗機臺11、鍍膜機臺12和退火機臺13。
[34] 清洗機臺11，用于清洗彩色濾光片。其中，在本實施例中，清洗方式可以為超聲波 清洗，或者使用清水清洗。
鍍膜機臺12，用于在所述彩色濾光片的背面進(jìn)行低溫鍍膜，使所述彩色濾光片背 面鍍有一層IT0膜。其中：在低溫鍍膜過程中，鍍膜機臺12中保持真空環(huán)境中，在低溫范圍為20°C至100°C下進(jìn)行鍍膜，因此，鍍膜機臺12中不需要設(shè)有專門的高溫加熱腔室，可以簡 化鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)，降低設(shè)備成本。
[22] 退火機臺13，用于對所述IT0膜進(jìn)行高溫退火。其中：在高溫退火過程中，退火 機臺13中沖入氮氣，將低溫鍍膜后的彩色濾光片放置在氮氣保護(hù)環(huán)境中，在高溫范圍為 150°C至300°C下進(jìn)行退火。經(jīng)過高溫退火后，在彩色濾光片的背面形成的IT0膜的厚度為 200-300 埃。
[23] 需要說明的是：本實施例中的清洗機臺11、鍍膜機臺12和退火機臺13是生產(chǎn)工 藝過程中三個獨立的設(shè)備。
[24] 應(yīng)用上述技術(shù)方案，鍍膜設(shè)備10包括三個獨立的設(shè)備——清洗機臺11、鍍膜機臺 12和退火機臺13，其中，鍍膜機臺12中不需要設(shè)有專門的高溫加熱腔室，而退火機臺13可 以采用現(xiàn)有的退火設(shè)備，因此簡化鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)，降低設(shè)備成本。
[25] 以上所述實施例，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的 限制。
[20] 雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng) 域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi) 容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此， 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單 修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
