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硒鼓復鍍技術

放大字體??縮小字體 發(fā)布日期:2012-12-24??瀏覽次數(shù):586 ??關注:加關注
核心提示:該技術是利用原有的舊鼓基,采用真空鍍膜技術重新鍍上光導層,變成合格的硒鼓,供復印機使用。其技術指標:起始電位(V0 )800V;暗

該技術是利用原有的舊鼓基,采用真空鍍膜技術重新鍍上光導層,變成合格的硒鼓,供復印機使用。其技術指標:起始電位(V0 )≥800V;暗衰減率(DDR5 )≤15V/S;感度(H50)0.8-16Lxs,殘余電位(VR )≤50V,壽命~50000次。均已達到國內(nèi)先進水平。該復鍍技術適應國情,復鍍的硒鼓“表面電位”高,“充電電流”小,“使用壽命”長,一般均可達到5萬次以上,接近進口鼓水平。該技術既能為國家節(jié)約外匯,又可使復印成本大大降低(鍍鼓廠如每年能復鍍500只硒鼓,兩年內(nèi)即可收回投資),同時對減少硒靜電復印機硒鼓備件、延長靜電復印機的使用期限有很大的經(jīng)濟和社會效益。

完成單位:冶金工業(yè)部馬鞍山鋼鐵設計研究院

聯(lián)系電話:(0555)2323221

郵政編碼:243005

成果類別:應用技術

成果水平:國內(nèi)先進

限制使用:國內(nèi)

成果密級:非密

鑒定日期:19891202

應用行業(yè):文化 辦公用機械制造

鑒定部門:安徽省冶金廳

轉(zhuǎn)讓方式:技術服務

分類號:TB852.250.3

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