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公開(kāi)日 20070927
發(fā)明人 CABRAL JR C, DELIGIANNI H, KNARR R F, ROSSNAGEL S, SHAO X Y, TOPOL A, VEREECKEN P M
介紹了一種接觸點(diǎn)的組成結(jié)構(gòu)及制造方法。該接觸點(diǎn)的結(jié)構(gòu)包含以下幾個(gè)部分：(1)在基底上刻蝕了的帶盲孔的介電層，(2)位于盲孔底部的鈷及(或)鎳的硅化物或鍺化物層，(3)在介電層之上及盲孔內(nèi)側(cè)，且覆蓋盲孔底部硅化物或鍺化物層的鈦或氮化鈦接觸層(在接觸層之上可加一個(gè)種子層，以便電鍍)，(4)在孔內(nèi)的金屬填充層。金屬填充層選取銅、銠、釕、銥、鉬、金、銀、鎳、鈷、鎘、鋅及其合金中至少一種，采用電沉積的方法制備。當(dāng)金屬填充層為銠、釕或銥時(shí)，填充層與介電層之間無(wú)需有效的擴(kuò)散阻擋層。若阻擋層可鍍(如釕、銠、鉑、銥)，則無(wú)需種子層。
