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公開號 102126724
公開日 2011.07.20
申請人 上海交通大學(xué)
地址 上海市閔行區(qū)東川路800號
一種納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域的長度可控的光滑表面硅納米線陣列的制備方法，首先對硅片進(jìn)行濕化學(xué)清洗，然后在含有氫瓦酸和硝酸銀的混合溶液中利用無電化學(xué)沉積法在硅片表面沉
只銀納米顆粒層，經(jīng)含有氫氟酸和雙氧水的混合溶液進(jìn)行化學(xué)刻蝕，最后用硝酸去除銀納米顆粒得到硅納米線陣列。本發(fā)明通過在化學(xué)刻蝕體系中簡單調(diào)節(jié)氧化劑雙氧水的濃度和刻蝕時(shí)間而實(shí)現(xiàn)了長度可控的光滑表面硅納米線的制備，從而解決了在金屬萄助化學(xué)刻蝕中制備表面缺陷較少硅納米線的技術(shù)難題。
