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CdSe薄膜電極的制備及應(yīng)用

放大字體??縮小字體 發(fā)布日期:2012-10-16??瀏覽次數(shù):715 ??關(guān)注:加關(guān)注
核心提示:摘要:論文通過衡電位電沉積技術(shù)在泡沫鎳和ITO導(dǎo)電玻璃上制備了CdSe薄膜電極,使用該電極在可見光條件下,對亞甲基藍進行光電催

摘要:論文通過衡電位電沉積技術(shù)在泡沫鎳和ITO導(dǎo)電玻璃上制備了CdSe薄膜電極,使用該電極在可見光條件下,對亞甲基藍進行光電催化性能實驗發(fā)現(xiàn):鍍膜次數(shù)為五次、pH6.0、亞甲基藍初始濃度0.001g/L、NaCl為電解質(zhì)、電位為0.4V,120min后亞甲基藍的降解率可達到85.7%。

   CdSe薄膜電極的制備及應(yīng)用.pdf
 

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關(guān)鍵詞: CdSe 亞甲基藍 光電催化
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