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電壓對電沉積PbS薄膜結構和性能的影響

放大字體??縮小字體 發(fā)布日期:2012-09-18??瀏覽次數(shù):486 ??關注:加關注
核心提示:摘要:采用陰極恒電壓法在ITO導電玻璃表面沉積了PbS薄膜,并用X-射線衍射儀(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)以及紫外/可見/近紅外光

摘要:采用陰極恒電壓法在ITO導電玻璃表面沉積了PbS薄膜,并用X-射線衍射儀(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)以及紫外/可見/近紅外光譜儀對薄膜的結構和光學性能進行了表征,研究了沉積電壓對薄膜的相組成、顯微形貌以及光學性質的影響。結果表明:在U=18V,pH=2.5,沉積時間為20min,加入EDTA作絡合劑的情況下,可制備出沿(111)和(200)晶面取向生長的立方相PbS薄膜。薄膜組成均勻而致密,對紫外線有較強的吸收作用,而對可見光有較好的透過作用。隨沉積電壓增加,薄膜的結晶性變好,光吸收性能明顯增強。

   電壓對電沉積PbS薄膜結構和性能的影響.pdf
 

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