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摘要：在未氧化鋁和氧化鋁之間經(jīng)過降壓剪薄阻擋層直接進行電沉積，采用不同電壓進行電沉積制備了鎳納米線，并采用SEM，TEM和X射線衍射對所制備的鎳納米線進行了表征，研究了電沉積電壓對納米線結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)果表明：鎳納米線的外形決定于氧化鋁模板的形貌，其直徑和最大長度分別依賴于模板孔洞的直徑和長度，當電沉積電壓為1，1.5和2V時制備的鎳納米線為多品結(jié)構(gòu)，隨著電沉積電壓的升高，鎳納米線為沿[220]擇優(yōu)取向的單晶結(jié)構(gòu)（電沉積電壓分別為3V和4V），當電沉積電壓進一步升高時，擇優(yōu)取向由[220]轉(zhuǎn)為[111]方向（電沉積電壓5V）。
