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摘 要: 采用乙醛酸代替有害的化學藥品(如甲醛)作為還原劑的化學鍍技術,在工業(yè)純鋁片、工業(yè)純鈦片、以 TiN 作為擴散防護層的硅片和以 TiSiN 作為擴散防護層的硅片等難鍍材料實現(xiàn)了化學鍍銅.被覆銅鍍層的表面形貌和晶粒結構的分析結果表明:不同基材對銅鍍層的組織結構影響很大, 尤其在以 TiN 作為擴散防護層的硅片和以 TiSiN 作為擴散防護層的硅片上,獲得了由平均尺寸為 50nm 的顆粒所構成的較精細鍍層,為半導體器件采用銅金屬化工藝提供了新的方法。
摘 要: 采用乙醛酸代替有害的化學藥品(如甲醛)作為還原劑的化學鍍技術,在工業(yè)純鋁片、工業(yè)純鈦片、以 TiN 作為擴散防護層的硅片和以 TiSiN 作為擴散防護層的硅片等難鍍材料實現(xiàn)了化學鍍銅.被覆銅鍍層的表面形貌和晶粒結構的分析結果表明:不同基材對銅鍍層的組織結構影響很大, 尤其在以 TiN 作為擴散防護層的硅片和以 TiSiN 作為擴散防護層的硅片上,獲得了由平均尺寸為 50nm 的顆粒所構成的較精細鍍層,為半導體器件采用銅金屬化工藝提供了新的方法。
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