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利用掃描電子顯微鏡改進(jìn)GaAsMESFET背面通孔電鍍工藝

放大字體??縮小字體 發(fā)布日期:2012-05-14??瀏覽次數(shù):474 ??關(guān)注:加關(guān)注
核心提示:利用掃描電子顯微鏡改進(jìn)GaAsMESFET背面通孔電鍍工藝

摘 要:本文介紹了利用掃描電子顯微鏡對(duì)GaAsMESFET背面通孔形貌及電鍍狀況進(jìn)行了分析。并對(duì)電鍍工藝進(jìn)行了改進(jìn)。給出了大量改善前后的電鏡照片圖形。

利用掃描電子顯微鏡改進(jìn)GaAsMESFET背面通孔電鍍工藝.pdf
 

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