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摘 要:采用控電位沉積方式在ｐ－Ｓｉ上制備了Ｎｉ－Ｐｄ合金薄膜，考察了陰極沉積行為，研究了電沉積條件對(duì)膜組成的影響，并探討了膜組成與結(jié)構(gòu)的關(guān)系，ＸＲＤ測(cè)試表明Ｎｉ－Ｐｄ合金呈面心立方的固溶本結(jié)構(gòu)，其晶面間距隨合金組成不同而變化，ＸＰＳ研究表明，Ｐｄ與硅之間存在著較強(qiáng)的常溫?cái)U(kuò)散并形成了硅化物。
摘 要:采用控電位沉積方式在ｐ－Ｓｉ上制備了Ｎｉ－Ｐｄ合金薄膜，考察了陰極沉積行為，研究了電沉積條件對(duì)膜組成的影響，并探討了膜組成與結(jié)構(gòu)的關(guān)系，ＸＲＤ測(cè)試表明Ｎｉ－Ｐｄ合金呈面心立方的固溶本結(jié)構(gòu)，其晶面間距隨合金組成不同而變化，ＸＰＳ研究表明，Ｐｄ與硅之間存在著較強(qiáng)的常溫?cái)U(kuò)散并形成了硅化物。
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