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摘 要:采用電鍍法制備了與微電子CMOS工藝兼容的硅基CoNiMnP垂直各向異性永磁薄膜，并以該薄膜的微結(jié)構(gòu)，組成，磁性能等進(jìn)行了分析與測試，結(jié)果表明，在室溫，pH值3～4，電流密度小于10mA/cm^2的條件下，能夠獲得性能良好的垂直各向異性CoNiMnP永磁薄膜，薄膜的組成（質(zhì)量分?jǐn)?shù)）為:Co90.32%，Ni7.83%，Mn0.74%,P1.11%，垂直薄膜方向磁性能為：Hc=59.7kA/m,Br=0.53T,(BH)max=11.3kJ/m^3，平行薄膜方向磁性能為：Hc=27.8kA/m,Br=0.42T,(BH)max=3.2kJ/m^3。
