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摘 要:采用光刻和電鍍技術(shù)在5mm×5mm×0．2mm的硅片上設(shè)計(jì)并制備了2000個(gè)大小為50μm×50μm的CoNiMnP垂直各向異性永磁薄膜陣列，并對(duì)該薄膜陳列的組成、磁性能等進(jìn)行了分析與測(cè)試．結(jié)果表明：薄膜陣列的組成為：Co90．32wt％、Ni7．83wt％、Mn0．74wt％、P1．11wt％，陣列垂直方向磁性能為：Hc=59．7kA／m，Br=0．53T，(BH)max=11．3kJ／m^3；陣列水平方向磁性能為：Hc=27．8kA／m，Bx=53715T，(BH)max=1．585kJ／m^3．
