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摘 要:用直流腐蝕的方法，在HF溶液中用p型單晶硅[p-Si（100）]制備了單孔Ф3μm×2μm、總孔容積0．0224mm。的多孔硅母模。用浸入置換的方法在多孔硅上沉積了Ag、Au、Pd、Pt的催化晶粒層。用化學(xué)鍍的方法在多孔硅母模上沉積了一層厚約15μm的Ni鍍層，然后用電鍍的方法增厚至200μm，并從多孔硅上超聲剝離，得到鎳陽模。形貌顯示，催化晶粒層只在多孔硅的棱邊上沉積，不在孔洞中生長，多孔硅在保持多孔形狀的同時(shí)，負(fù)載了一層貴金屬催化劑，可以用來制備集成催化功能的微反應(yīng)器。鎳陽模與多孔硅的結(jié)合面是一層帶環(huán)隙的島狀顆粒，可以用作微換熱器。用此方法可以用簡單、價(jià)廉的工藝制備適用性較廣的熱集成的貴金屬催化微反應(yīng)器元件。[著者文摘]
