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摘 要:研究一種以氯金酸鈉為主鹽的無氰鍍金液在80℃、鍍液pH為8.0時陰極電流密度（J）對Au凸點生長行為的影響。結果表明：J在0.5～2.5A/dm2范圍內逐漸增大時,Au凸點生長速度單調增大;當J=0.5～1.0A/dm2時,所得Au凸點晶粒細小、表面平整、內部致密;當J=1.5～2.5A/dm2時,隨著J的增大,凸點表面粗糙度逐漸增大,內部致密度逐漸降低;從凸點橫截面形貌來看,在J=2.0A/dm2時出現(xiàn)樹枝晶,在J=2.5A/dm2時樹枝晶及晶間間隙已非常明顯。確定了該鍍液制作Au凸點的最佳電流密度為J=1.0A/dm2。此時,平均凸點厚度與施鍍時間之間存在良好的線性關系。在蒸鍍Au種子層并刻蝕有圖形的Si基板上得到外形規(guī)整且與基板結合良好的Au凸點。[著者文摘]
