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摘 要:為了提高核磁共振波譜檢測信號的信噪比，實現(xiàn)對納升級樣品的檢測，以及與微流控芯片集成，介紹了一種高品質(zhì)因數(shù)（Q值）平面微線圈及其制作工藝。基于對信噪比的仿真計算，利用SU-8厚膠掩模光刻與直流銅電鍍工藝，在玻璃襯底上得到幾種幾何參數(shù)優(yōu)化的圓形與方形線圈。自行設(shè)計了一種直流銅電鍍工藝，銅層生長速度約1．2μm／min。平面微線圈幾何參數(shù)如下：內(nèi)半徑200μm～1000μm，線寬／線間距20μm～80μm，圈數(shù)1～9圈，線圈厚度約12μm。利用Agilent 4294阻抗分析儀，測得85MHz／2 Tesla下內(nèi)半徑1000μm線圈的射頻參數(shù)如下：RAC=7．25n，L=285Ω，Q=21。測得的Q值-頻率曲線與仿真設(shè)計一致，即80MHz附近Q值達(dá)到最大。與國內(nèi)外其他測量結(jié)果相比，所得線圈品質(zhì)因數(shù)較高。相對于雙層銅電鍍方案，本制作工藝操作簡單，經(jīng)一次電鍍線圈即可成形，微米量級下更容易采用MEMS工藝制作平面線圈。另外，平面微線圈的開發(fā)可以將核磁共振（NMR）檢測技術(shù)集成到微全分析系統(tǒng)中。[著者文摘]
