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摘 要:分析了二極管的噪聲機理和降低噪聲的措施,探索了低噪聲齊納二極管的特殊制作工藝,包括Si平面結(jié)加保護環(huán)、摻氯緩慢升降溫氧化、CVD表面鈍化、凸點電鍍等。用此組合降噪工藝研制的1N4626型齊納二極管噪聲譜密度典型值達到0.11μV/√Hz（2kHz頻率點）,比設(shè)計指標(biāo)4.0μV/√Hz低一個數(shù)量級。[著者文摘]
摘 要:分析了二極管的噪聲機理和降低噪聲的措施,探索了低噪聲齊納二極管的特殊制作工藝,包括Si平面結(jié)加保護環(huán)、摻氯緩慢升降溫氧化、CVD表面鈍化、凸點電鍍等。用此組合降噪工藝研制的1N4626型齊納二極管噪聲譜密度典型值達到0.11μV/√Hz（2kHz頻率點）,比設(shè)計指標(biāo)4.0μV/√Hz低一個數(shù)量級。[著者文摘]
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