【簡介】
實驗
經(jīng)工藝實驗，相對理想的鍍液組成和工藝條件為： CuCl2·2H20 16．0～21．3 g／L，SO2-3／S2O2-30．475 mol／L，胺化合物0．76 mol／L，H3B03 36 g／L，葡萄糖0．38 mol／L，光亮劑(有機胺類化合物)0．04 mL／L；溫度40 ℃，pH8(用KOH調(diào)節(jié))，攪拌，沉積電流密度0．5～2．0A／dm2。不銹鋼陰極片處理流程：水洗一堿液除油一水洗一酸洗一水洗一去離子水洗一電鍍一銅鍍層剝離一測試。
以恒電流密度(1．0 A／dm2)沉積法測定電流效率。根據(jù)電流大小與沉積時間，計算出電鍍消耗的電量，由沉積Cu的電化學(xué)當(dāng)量計算出Cu的理論沉積量，然后與陰極片鍍后增重相比較，算出電流效率。
采用Philips公司的XL30 ESEM掃描電子顯微鏡(SEM)觀察鍍層的表面形貌，加速電壓20 kV，真空度優(yōu)于l0-5 mbar(即1 mPa)。
以日本理學(xué)公司的D／MAX-RC多晶轉(zhuǎn)靶X射線衍射儀(XRD)測定鍍層的微觀結(jié)構(gòu)。采用Cu Ka靶，波長為0．154 06 nln，管流30 mA，管壓40 kV，狹縫系統(tǒng)為DS 1°-SS 1°-RS 0．15 mm，以石墨單色器濾波，掃描速率6°／min。
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