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【簡介】
近年來，為了研究重元素的化學(xué)行為，錒系靶被用來合成多種重元素的富中子同位素。自上世紀(jì)70年代以來，制備此類用于裂變截面測量或加速器轟擊的錒系元素靶，大多采用分子鍍技術(shù)。傳統(tǒng)的分子鍍技術(shù)均使用直流電源。為克服傳統(tǒng)直流電沉積方法的不利因素，制備厚度與牢固度更高的錒系元素靶，我們對脈沖電沉積制靶技術(shù)進行了研究。繼2005、2006年研究，確定了脈沖電沉積u的優(yōu)化條件后，我們嘗試對影響脈沖電鍍的3個基本可調(diào)參數(shù)、頻率 占空比R和電流密度 等進行研究。為了改進實驗條件，首先對脈沖電源進行了升級改造。
