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【簡介】
采用化學方法腐蝕c一面藍寶石襯底，以形成一定的圖案；利用LP-MOCVD在經過表面處理的藍寶石襯底上以及常規(guī)c一面藍寶石襯底上外延生長GaN薄膜．采用高分辨率雙晶x射線衍射(DCXRD)、三維視頻光學顯微鏡(OM)、掃描電子顯微鏡(SEM)和原子力顯微鏡(AFM)進行分析，結果表明，在經過表面處理形成一定圖案的藍寶石襯底上外延生長的GaN薄膜明顯優(yōu)于在常規(guī)藍寶石襯底上外延生長的GaN薄膜，其(0OO2)面上的XRD FWHM為208．80弧秒，(1012)面上的為320．76弧秒．同時，此方法也克服了傳統(tǒng)橫向外延生長技術(LEO)工藝復雜和晶向傾斜高的缺點．
