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鋁合金微弧氧化陶瓷層生長(zhǎng)過程研究.PDF

放大字體??縮小字體 發(fā)布日期:2006-08-08??瀏覽次數(shù):247 ??關(guān)注:加關(guān)注
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【簡(jiǎn)介】

采用硅酸鈉溶液體系,制得250μm左右的微弧氧化陶瓷層。研究了溶液電導(dǎo)率以及電流密度對(duì)Al合金微弧氧化陶瓷層生長(zhǎng)過程和厚度的影響。結(jié)果表明,提高溶液電導(dǎo)率能加速陶瓷層的生長(zhǎng),降低陶瓷層粗糙度。提高電流密度能加速陶瓷層的生長(zhǎng)速率,但不宜過高,以10A/dm2左右為佳。采用金相顯微鏡觀察微弧氧化陶瓷層截面發(fā)現(xiàn)陶瓷層呈連續(xù)結(jié)構(gòu),較厚的陶瓷層中有少量金屬顆粒存在。

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