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【簡介】
從納米SiO2 三種不同的分散工藝(研磨法、偶聯(lián)劑表面處理法和高速均質(zhì)剪切法)著手，通過原位聚合法制得SiO2／氰酸酯(CE)納米復(fù)合材料；采用透射電鏡分析(TEM)、掃描電鏡分析(SEM)和熱失重分析(TGA)研究了三種分散工藝對納米SiO2 的分散以及復(fù)合材料的力學(xué)性能和熱性能的影響。結(jié)果表明，研磨對納米SiO2的分散優(yōu)于高速均質(zhì)剪切，偶聯(lián)劑表面處理分散較差；高速均質(zhì)剪切對復(fù)合材料力學(xué)性能和熱性能的提高程度優(yōu)于研磨法，當(dāng)納米SiO2含量為1phr時，高速均質(zhì)剪切所得復(fù)合材料的沖擊強度和彎曲強度分別比純CE提高35．0% 和12．1% ；當(dāng)質(zhì)量損失為5% 時復(fù)合材料的熱分解溫度較純CE提高23．8℃ ；偶聯(lián)劑表面處理法則降低了復(fù)合材料的彎曲強度和熱分解溫度。
