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【簡介】
在單晶硅表面用化學鍍的方法制備了納米級的銀催化晶籽層，利用開路電位時間曲線(OCP-T)的變化情況監(jiān)測了硅表面銀晶籽的生長過程，研究表明在有Ag+離子存在的溶液中加入HF后的瞬間，銀晶籽即在硅表面形成，且在5s內(nèi)完全達到覆蓋。用OCP-T對記得蝕硅片與銀晶籽活化后的硅片在化學鍍?nèi)芤褐械某珊饲闆r進行了研究，并結合原子力顯微鏡與傅立葉紅外反射對活化前后的表面經(jīng)化學鍍覆銀的情況進行了對比，結果表明用銀晶籽層活化的硅片表面具有良好的催化活性，在其上經(jīng)化學鍍銀后所得到的薄膜表面平滑度高、致密性好。
