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【簡介】
A1SiC電子封裝材料及構件具有高熱導率、低膨脹系數(shù)和低密度等優(yōu)異性能，使封裝結(jié)構具有功率密度高、芯片壽命長、可靠性高和質(zhì)量輕等特點，應用范圍從功率電子封裝到高頻電子封裝。綜述了國內(nèi)外制備A1SiC電子封裝材料及構件所涉及的預制件成形、液相浸滲鑄造、力學性能、氣密性、機械加工、表面處理和構件連接等方面的研究進展。
【簡介】
A1SiC電子封裝材料及構件具有高熱導率、低膨脹系數(shù)和低密度等優(yōu)異性能，使封裝結(jié)構具有功率密度高、芯片壽命長、可靠性高和質(zhì)量輕等特點，應用范圍從功率電子封裝到高頻電子封裝。綜述了國內(nèi)外制備A1SiC電子封裝材料及構件所涉及的預制件成形、液相浸滲鑄造、力學性能、氣密性、機械加工、表面處理和構件連接等方面的研究進展。
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