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【專利號(申請?zhí)?】200410080014.5
【公開(公告)號】CN1610066
【申請人(專利權(quán))】清華大學(xué)
【申請日期】2004-9-24 0:00:00
【公開(公告)日】2005-4-27 0:00:00
本發(fā)明涉及分離雙電極酸性化學(xué)鍍制備集成電路銅互連線的金屬化方法，屬于化學(xué)鍍應(yīng)用領(lǐng)域。本方法用硅基板作為陰極，一面鍍有難熔金屬或其氮化物的硅基板作為陽極，對所述陽極基板暴露在外的硅表面裹覆一層銀膠或有機膠保護層，防止其在化學(xué)鍍過程中的腐蝕；將所述的陰極和陽極分離置于酸性溶液中，該陰極和陽極在酸性溶液中進行氧化還原反應(yīng)，在難熔金屬以及氮化物的硅基板上直接化學(xué)鍍上一層銅膜。采用此工藝制備的銅膜顆粒均勻細小，與基板結(jié)合力強，具有(111)晶粒擇優(yōu)取向，不含氧化亞銅。此方法溶液配置方便，基板保護良好，生產(chǎn)步驟簡單，成本低廉，是堿性和單電極酸性化學(xué)鍍銅方法較好的替代方案。
