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【專利號(申請?zhí)?】200710063133.3
【公開(公告)號】CN101013679
【申請人(專利權(quán))】清華大學(xué)
【申請日期】2007-1-29 0:00:00
【公開(公告)日】2007-8-8 0:00:00
本發(fā)明涉及超聲化學(xué)鍍制備超大規(guī)模集成電路銅互連線和阻擋層的方法，屬于化學(xué)鍍應(yīng)用領(lǐng)域。對于超聲化學(xué)鍍制備集成電路銅互連線，是以乙醛酸為還原劑，硫酸銅為主鹽，附加絡(luò)合劑、穩(wěn)定劑和氣泡劑，利用超聲波的超聲空化作用，在活化后的難熔金屬或其氮化物阻擋層上，沉積一層對基板溝槽覆蓋性和結(jié)合力都非常好的銅鍍層；對于超聲化學(xué)鍍制備集成電路阻擋層，是采用原子鈀活化法，在硅基板的二氧化硅層或者多晶硅層上，采用超聲化學(xué)鍍方法，制備含有難熔金屬的三元合金阻擋層NiMoP或CoWP，采用超聲化學(xué)鍍銅方法在超聲化學(xué)鍍制備的阻擋層上沉積銅互連線。本發(fā)明是對傳統(tǒng)化學(xué)鍍方法很好的改進，具有對臺階覆蓋性好，與阻擋層結(jié)合力強等優(yōu)點。
