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【專利號(hào)(申請(qǐng)?zhí)?】01125089.5
【公開(公告)號(hào)】CN1400646
【申請(qǐng)人(專利權(quán))】旺宏電子股份有限公司
【申請(qǐng)日期】2001-8-3 0:00:00
【公開(公告)日】2003-3-5 0:00:00
一種形成金屬-絕緣層-金屬電容器的方法，包括：提供一具有第一區(qū)域與第二區(qū)域的底材；形成一覆蓋底材的第一導(dǎo)體層；形成一覆蓋第一導(dǎo)體層的第二導(dǎo)體層；轉(zhuǎn)移數(shù)個(gè)溝渠圖案進(jìn)入第二導(dǎo)體層與第一導(dǎo)體層，以形成數(shù)個(gè)溝渠于第一區(qū)域與第二區(qū)域內(nèi)；共形生成一覆蓋第二導(dǎo)體層與第一導(dǎo)體層的介電層；形成一覆蓋介電層的第三導(dǎo)體層；形成一覆蓋第一區(qū)域的光阻層；移除位于第二區(qū)域上的第三導(dǎo)體層以曝露出位于第二區(qū)域上的介電層；移除位于第二區(qū)域上的介電層以曝露出位于第二區(qū)域上的第二導(dǎo)體層與第一導(dǎo)體層；蝕刻位于第二區(qū)域內(nèi)的溝渠的底部以曝露出底材；及移除光阻層。本發(fā)明可增加電容器的電荷儲(chǔ)存面積但不增加占用面積以可提高其電容值與集成度。
