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【專利號(申請?zhí)?】200410009984.6
【公開(公告)號】CN1787171
【申請人(專利權(quán))】中國科學院微電子研究所
【申請日期】2004-12-9 0:00:00
【公開(公告)日】2006-6-14 0:00:00
本發(fā)明涉及半導體器件技術(shù)領(lǐng)域，是關(guān)于一種應用于半導體無源元件制作工藝中改善金屬-介質(zhì)-金屬(MIM)電容質(zhì)量的方法。該方法，包括如下步驟：步驟1：在基板上，光刻形成電容下極板圖形；步驟2：依次蒸發(fā)鈦/金/鈦形成電容下極板；步驟3：淀積介質(zhì)層；步驟4：制作空氣橋；步驟5：光刻上極板圖形，采用電鍍方法形成上極板。本發(fā)明的工藝方法簡單，成本低，重復性很好，得到的電容器件的特性較之傳統(tǒng)工藝有很大提高。
